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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPI47N10SL-26-VB一款TO262封装N-Channel场效应MOS管

型号: IPI47N10SL-26-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2V
  • RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
  • ID 50A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IPI47N10SL-26-VB MOSFET 产品简介

IPI47N10SL-26-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO262 封装。其设计专注于高效电源管理,能够处理高达 100V 的漏源电压(VDS),并提供 50A 的大电流负载能力。该器件的栅源电压(VGS)范围为 ±20V,栅极阈值电压为 2V,确保了在各种开关条件下的稳定操作。凭借 20mΩ 的低导通电阻(RDS(ON) @ VGS = 10V),该 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术,适合各种高效能的电源转换和电动系统应用。

### IPI47N10SL-26-VB 详细参数说明

1. **封装类型**: TO262  
2. **配置**: 单 N 沟道  
3. **漏源电压 (VDS)**: 100V  
4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V  
5. **栅极阈值电压 (Vth)**: 2V  
6. **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - 20mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏极电流 (ID)**: 50A  
8. **最大脉冲电流 (ID, pulse)**: 高达 200A  
9. **功率耗散 (Ptot)**: 典型值为 300W  
10. **技术类型**: Trench  
11. **输入电容 (Ciss)**: 约 2400pF  
12. **栅极电荷 (Qg)**: 典型值为 85nC  
13. **反向恢复时间 (Trr)**: 典型值为 40ns  
14. **工作温度范围**: -55°C 至 175°C  
15. **最大结温 (Tj)**: 175°C  

### 应用领域和模块示例

1. **电动汽车 (EV) 电源管理系统**:  
  IPI47N10SL-26-VB 在电动汽车系统中表现出色,特别是在电机驱动、电源分配和能量管理模块中。其 100V 的高漏源电压和 50A 的大电流处理能力使其能够在高性能电动汽车电源管理系统中提供高效、稳定的运行,降低电能损耗,延长电池寿命。

2. **太阳能逆变器**:  
  在太阳能发电系统中,该 MOSFET 可用于逆变器模块,以实现高效的 DC 到 AC 电能转换。其低导通电阻和快速切换能力保证了高效的能量传输,从而提高了太阳能系统的整体效率。

3. **高效 DC-DC 转换器**:  
  IPI47N10SL-26-VB 适用于各种 DC-DC 电源转换器,其在高频开关应用中的出色表现使其在需要高能效转换的场合得到广泛应用,特别是在通讯设备、服务器电源模块和工业电源系统中。

4. **工业电机驱动系统**:  
  在工业控制和自动化中,该 MOSFET 可用于电机驱动模块,确保了高功率和高效的电流传输,适用于要求严苛的工业环境,保证设备的稳定性和可靠性。

IPI47N10SL-26-VB 凭借其强大的电流处理能力、低导通电阻和高电压耐受能力,广泛应用于电源转换、工业控制和电动汽车等需要高效能的领域。

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