### 产品简介 - IPI26CN10N G-VB
IPI26CN10N G-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO262封装，具有优越的导通性能和电流处理能力。其主要特征包括100V的漏极-源极电压（VDS）和高达100A的漏极电流承载能力，能够在高功率应用中提供出色的性能表现。该MOSFET使用Trench技术，导通电阻低至9mΩ @ VGS=10V，确保低导通损耗和高效率，是各种电源管理和开关应用的理想选择。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO262
- **沟道类型**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：100A
- **技术类型**：Trench技术
- **热性能**：优良的散热性能，适合大电流处理
### 应用领域与模块示例
1. **电动工具和电机控制**
IPI26CN10N G-VB 适用于各种电动工具和电机控制应用。其高电流承载能力和低导通电阻使其能有效驱动高功率电机，并提供出色的效率和低损耗，确保系统长时间运行稳定。
2. **电源管理和DC-DC转换器**
该MOSFET非常适合用于电源管理系统，如DC-DC转换器。由于其较低的导通电阻，能够在转换过程中减少损耗，从而提高整个系统的效率。适用于服务器、通信设备和工业电源系统。
3. **电动汽车和电池管理系统**
在电动汽车和电池管理系统中，IPI26CN10N G-VB 可以处理高电流充放电需求。其低导通损耗和高开关速度，使其在充电器和逆变器中表现优异，提高电池管理系统的整体效率。
4. **工业自动化设备**
该MOSFET还可以用于工业自动化设备，如PLC控制器和机器人应用中。其高耐压和高电流处理能力，使其适合在要求快速响应和高效控制的环境中运行。
5. **LED驱动和照明控制**
IPI26CN10N G-VB 在LED驱动应用中也能表现良好。低导通电阻有助于提供稳定的电流输出，特别适用于高功率LED照明系统，确保高亮度、低发热以及高效能的照明效果。
