### 产品简介
IPI139N08N3 G-VB 是一款高性能单N沟道 MOSFET，采用 TO262 封装，专为高电流和高效能应用设计。其漏源电压（VDS）为80V，栅源电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为3V。该 MOSFET 的导通电阻在 VGS=4.5V 时为10mΩ，在 VGS=10V 时为6mΩ，能够支持高达85A的漏极电流（ID）。采用先进的 Trench 技术，IPI139N08N3 G-VB 提供极低的导通电阻和优良的电流处理能力，适用于高效能功率开关应用和高电流处理场景。
### 参数说明
1. **封装类型**：TO262
2. **配置**：单N沟道
3. **漏源电压 (VDS)**：80V
4. **栅源电压 (VGS)**：±20V
5. **阈值电压 (Vth)**：3V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 10mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**：85A
8. **技术**：Trench技术
9. **栅极电荷 (Qg)**：适中，适合快速开关应用
10. **工作温度范围**：-55°C 至 175°C
11. **功耗 (Ptot)**：适合高功率应用，具有良好的散热性能
### 适用领域和模块
1. **电源转换器和稳压模块**：IPI139N08N3 G-VB 在高效电源转换器和稳压模块中表现出色。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够提高电源转换效率，减少功率损耗，特别适用于高效能DC-DC转换器和开关电源中。
2. **电机控制器**：在电机控制应用中，如工业电机驱动系统和电动汽车电机控制器，IPI139N08N3 G-VB 能够处理大电流负载并提供稳定的开关性能。其高电流承载能力和低导通电阻确保电机控制的高效性和可靠性。
3. **汽车电子系统**：对于汽车电子系统，包括电动汽车的电池管理系统和功率管理模块，IPI139N08N3 G-VB 能够处理高电流负载，提供高效能的开关功能。它的低导通电阻和高电流处理能力有助于提升系统的效率和可靠性，特别是在电池管理和高功率开关应用中。
4. **消费电子产品**：在消费电子产品，如高功率充电器和电源适配器中，该 MOSFET 能够处理大电流，提供稳定的开关性能。其高电流承载能力和低功耗特性有助于提高设备的效率，优化能耗，适用于需要高效能和高电流控制的电子产品。
IPI139N08N3 G-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在各种高效能和高功率应用中表现优异，特别是在需要稳定性和高效能的电源管理和功率控制系统中。
