ISO5852S-EP 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器

描述

ISO5852S-EP器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV _RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH和OUTL）以及2.5A的拉电流能力和5A的灌电流能力。输入端由2.25V至5.5V的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为15V至30V。两个互补CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态.76ns的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和（DESAT）故障检测功能可识别IGBT何时处于过流状态。检测到DESAT时，静音逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用OUTH引脚并将OUTL引脚拉至低电平持续2μs。当OUTL引脚达到2V时（相对于最大负电源电势V _EE2 ），栅极驱动器会被“硬”拉至V _EE2 电势，从而立即将IGBT关断。

当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以及输入端的< span> FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存，并只能在RDY引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断IGBT ，输出电压会被硬钳位为V _EE2 。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止IGBT在高电压瞬态状态下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY输出会变为低电平，否则该输出为高电平。

ISO5852S-EP器件采用16引脚小外形尺寸集成电路（SOIC ）封装。此器件的额定工作环境温度范围为-55°C至+ 125°C。

特性

• 在V _CM = 1500V时，共模瞬态抗扰度（CMTI）的最小值为100kV /μs
• 分离输出，可提供2.5A峰值拉电流和
  5A峰值灌电流
• 短暂传播延迟：76ns（典型值），
  110ns（最大值得）
• 2A有源米勒钳位
• 输出短路钳位
• 短路期间的软关断（STO）
• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发??出故障报警并通过 RST 复位
• 具有就绪（RDY）引脚指示的输入和输出欠压锁定（UVLO）
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
• 2.25V至5.5V输入电源电压
• 15V至30V输出驱动器电源电压
• 互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容输入
• 抑制短于20ns的输入脉冲和瞬态噪声
• 工作环境温度范围：-55°C至+ 125°C
• 浪涌抗扰度为12800 V _PK （根据IEC 61000-4-5）< /li> 安全相关认证：
  • 符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V 0884-10）：2006-12标准的8000 V _PK V _IOTM 和2121 V _PK V _IORM 增强型隔离
  • 符合UL 1577标准且长达1分钟的5700 V _RMS 隔离
  • CSA组件接受通知5A，IEC 60950-1，IEC 60601-1和IEC 61010-1终端设备标准
  • 符合GB4943.1-2011的CQC认证< /li>
  • 已通过UL，VDE，CQC，TUV认证并规划进行CSA认证

所有商标均为其所有各自所有者。

参数 与其它产品相比?隔离栅极驱动器

? Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Operating temperature range (C) Package Group ? ISO5852S-EP 5700 ? ? 8000 ? ? 2121 ? ? 1 ? ? IGBT
SiCFET ? ? 30 ? ? 15 ? ? 2.25 ? ? 5.5 ? ? 5 ? ? -55 to 125 ? ? SOIC | 16 ? ?