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TPS53632G 用于 48V GaN 直流/直流转换器的半桥 D-CAP+ 控制器

数据:

描述

TPS53632G器件是一款采用D-CAP +架构的半桥PWM控制器,可直接从单级转换中提供快速瞬态响应,最低输出电容和高效率48V总线。 TPS53632G器件支持标准I 2 C Rev 3.0接口,用于动态控制输出电压和电流监控遥测。 TPS53632G与TI GaN功率级和驱动器配合使用,可以切换高达1 MHz的频率,从而最大限度地减小磁性元件尺寸并减少整个电路板空间。 LMG5200 GaN功率级专为该控制器设计,可实现高达92%的高频率和高效率转换。

其他功能包括输出压摆率和电压定位的可调控制。此外,TPS53632G器件可与其他TI分立功率MOSFET和基于硅的半桥解决方案的驱动器一起使用。 TPS53632G器件采用节省空间的耐热增强型32引脚VQFN封装,额定工作温度范围为-10°C至105°C。

特性

  • 具有恒定导通时间控制的谷值电流模式
  • 无损耗电流感应方案
  • I 2 C接口
  • 可编程I 2 C地址最多8个设备
  • 开关频率高达1 MHz < /li>
  • 数字电流监视器
  • 7位,DAC输出范围:0.50V至1.52V,步长为10mV
  • 精确,可调节的电压定位或零斜率负载线
  • 可选,8级电流限制
  • 可调节输出压摆率控制
  • 默认启动电压:1.00 V
  • 小型,4 mm×4 mm,32引脚,VQFN,PowerPAD封装

参数 与其它产品相比?GaN FET 控制器

?
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Vout (Min) (V)
Vout (Max) (V)
Iout (Max) (A)
Communication Interface
Control Mode
Regulated Outputs (#)
Switching Frequency (Min) (kHz)
Switching Frequency (Max) (kHz)
Iq (Typ) (mA)
Features
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
TPS53632G
2.5 ? ?
24 ? ?
0.5 ? ?
1.52 ? ?
60 ? ?
I2C ? ?
D-CAP+ ? ?
1 ? ?
300 ? ?
1000 ? ?
4 ? ?
Adjustable Current Limit
Dynamic Voltage Scaling
Enable
Light Load Efficiency
Output Discharge
Power Good
Remote Sense
Synchronous Rectification
Voltage Margining ? ?
-10 to 105 ? ?
VQFN ? ?
32VQFN: 16 mm2: 4 x 4(VQFN) ? ?

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 TPS53632G 相关库存

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