0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

芯片防范物理攻击的根本原因是什么

lPCU_elecfans ? 来源:cg ? 2018-12-25 09:29 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日,Arm发布了一系列IP以保护芯片免受物理攻击,该系列扩展了Arm的安全IP产品组合,为所有物联网产品提供物理安全性。这些的全新IP产品均标有代表物理安全的字母“P”标识,包括:Cortex-M35P处理器以及一套全新的、可防侧信道攻击的安全IP(CryptoIsland-300P和CryptoCell-312P),下面就让我们在周末的休闲时光一起探讨一下。Cortex-M35P的主要优势

Cortex-M35P是第一款提供防物理篡改功能的Armv8-M处理器,使处理器核心有能力更容易、更快速地取得支付级或电信级的安全认证。Cortex-M35P是Arm安全产品组合的延伸,遵循Arm的PSA平台安全架构原则。

为什么要防范物理攻击?

我们在日常生活中会遇到越来越多的设备——比如在家中、工作场所、医院,工业场所以及城市空间等等——其中有些是连网的,有些则不是。在这其中,许多设备存储了非常有价值的个人信息,使它们成为物理攻击的目标。

从成本角度来看,由于简单数据采集工具的部署和存在,这些攻击变得更具有可行性。我们越来越多地目睹到物理攻击的发生,例如侧信道攻击已成为标准安全威胁模型的一部分。对物理攻击的主要担忧来自攻击(所产生危害)的延伸效应,即通过攻击一台设备,攻击者可以提取源代码并发现漏洞,进而进行更大规模的网络攻击。

与其他攻击类型相关的物理攻击

随着攻击平面不断增加以及物联网(IoT)规模呈指数级增长,在产品设计规划过程中可能很难根据现在的情况来确定如何保护您的下一代设备。 为了理解并应对这一状况,Arm通过针对四种不同类型的攻击目标建模来描述安全性,它们分别是:通信、产品生命周期、软件攻击以及物理攻击,如图2所示。

设备面临的风险取决于应用程序和数据的价值。许多设备需要考虑更多针对系统底层的攻击,例如针对底层软件的攻击,可以借助Arm TrustZone提供的隔离来获得充分的保护。但是,还有一些其他类型的用户产品需要考虑更为复杂的攻击风险,例如各类通过物理方式攻击芯片的风险。

图2:对四种不同类型安全攻击的威胁系数进行评估

当对设备及其所面临的威胁进行评估后,紧接着的一项重要的工作就是采取适当的措施来保护您的设备。Arm建议使用分层安全法,使用正确的反制组合对您的设备实施不同层次的保护。

Arm扩展了一系列IP以应对所有类型的安全威胁。

1. 物理保护

当受保护的资产价值足够高时,黑客就有足够的动机对设备采取物理攻击。

2. 指令cache

集成cache提高了从嵌入式Flash取指令时的性能。

3. TrustZone:全系统安全的基础

TrustZone强化了系统中对信息安全敏感的功能的保护。它不仅提供了对代码、内存和I/O的软件隔离,同时还满足了实时、确定的响应,最小的上下文切换开销以及系统要易于软件开发的要求。

4. 用于任务隔离的内存保护单元(MPU)

软件可靠性和系统安全性的提高可藉由限制每个模块——使其仅被允许访问完成功能所必需的特定存储器区域来实现。通过这种方式,MPU可以保护当前任务所需资源以外的所有其它存储器和外设免受破坏或未经授权的访问,从而显着提高系统的可靠性。

5. 可扩展性的协处理器接口

对于特定应用程序,专用计算可大有作为。在实现这一扩展计算能力的同时,保持世界领先生态系统的所有优势同样至关重要——即开发工具、编译器、调试器、操作系统和中间件的最广泛选择。

6. 数字信号处理(Digital Signal Processing, DSP)扩展

为了加速软件开发,Arm还在CMSIS项目中提供免费的DSP库。该库包含一系列数字滤波器、转换和数学函数(如矩阵),并支持一系列数据类型。

总结

总之,物理攻击是对嵌入式或物联网设备的几种潜在攻击之一。 Arm的PSA平台安全架构为设计人员在威胁建模过程中所需通过的安全级别进行评估,以便采用适当的反制组合。物理攻击正变得愈发简单和廉价,因此先进的芯片保护技术至关重要。然而,物理安全设计则通常较为复杂。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    460

    文章

    52736

    浏览量

    444153
  • ARM
    ARM
    +关注

    关注

    134

    文章

    9395

    浏览量

    379851
  • 物联网
    +关注

    关注

    2933

    文章

    46463

    浏览量

    395577

原文标题:【揭秘】为何现在的芯片必须注意防范物理攻击?

文章出处:【微信号:elecfans,微信公众号:电子发烧友网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Linux系统性能调优方案

    关键要点预览:本文将深入解析Linux系统性能瓶颈的根本原因,提供可直接落地的调优方案,让你的系统性能提升30-50%!
    的头像 发表于 08-06 17:49 ?198次阅读

    UART调试日志在 FX3 示例代码 (cyfxbulklpauto_cpp) 中不起作用是为什么?

    和 cyfxbulklpauto_cpp),它们定义了USB 3.0 和USB 2.0 描述符,似乎支持USB 3.0。 然而,我们不确定根本原因是与硬件有关还是与软件有关。 目前,我们正在审查CYPRESS?示例
    发表于 07-16 06:29

    STM32G473 flash擦除时程序卡死的原因

    ,也有更新4次、6次卡死的。我尝试在进行擦除之前关中断 __disable_irq();发现测试连续30次升级都没卡死,但没有找到根本原因。注:调用擦除bank的函数执行在CAN接收中断里的一个自定义
    发表于 06-09 07:23

    芯知识|广州唯创电子语音芯片IC电源异常全解析及防护指南

    语音芯片电源故障的根源及防护方案。一、电源异常引发的六大典型问题故障现象?根本原因?后果?1.播放杂音/破音?电源纹波噪声耦合至音频电路?用户体验骤降,品牌形象受损
    的头像 发表于 06-05 09:23 ?338次阅读
    芯知识|广州唯创电子语音<b class='flag-5'>芯片</b>IC电源异常全解析及防护指南

    部分外资厂商IGBT模块失效报告作假对中国功率模块市场的深远影响

    部分IGBT模块厂商失效报告作假的根本原因及其对中国功率模块市场的深远影响,可以从技术、商业、行业竞争等多维度分析,并结合中国功率模块市场的动态变化进行综合评估: 一、失效报告作假的根本原因 技术
    的头像 发表于 05-23 08:37 ?332次阅读
    部分外资厂商IGBT模块失效报告作假对中国功率模块市场的深远影响

    国产SiC碳化硅MOSFET厂商绝口不提栅氧可靠性的根本原因是什么

    两方面展开分析: 一、部分国产SiC碳化硅MOSFET厂商避谈栅氧可靠性的根本原因 技术矛盾:电性能与可靠性的权衡 碳化硅MOSFET设计中,栅氧可靠性与电性能参数(如导通电阻Rds(on)、开关损耗Qg)存在物理规律上的冲突。例如,减薄栅氧厚度可显著降低导通电阻
    的头像 发表于 04-07 10:38 ?387次阅读

    当S32K312进入睡眠状态时,它会重置是什么原因导致的?

    我们看到一个问题,当 S32K312 进入睡眠状态时,它会重置 这里可能的根本原因是什么?
    发表于 04-03 08:20

    IGBT高温漏电流和电压阻断能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因

    IGBT的高温漏电流与电压阻断能力固有缺陷是其被新一代电力电子设备加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高温漏电流与电压阻断能力固有缺陷的本质 材料物理特性限制 IGBT基于硅(Si)材料,其带隙较窄
    的头像 发表于 03-31 12:12 ?665次阅读
    IGBT高温漏电流和电压阻断能力固有缺陷是其被淘汰的<b class='flag-5'>根本原因</b>

    ADC的谐波产生的原因是什么?

    ADC的谐波产生的原因是什么
    发表于 02-08 08:25

    BGA焊接产生不饱满焊点的原因和解决方法

    BGA问题,其根本原因是焊点锡膏不足,下面深圳佳金源锡膏厂家来讲解一下原因和解决方法有哪些?一、产生原因BGA维修过程中遇到的不饱满焊点的另一个常见产生原因是焊料的芯
    的头像 发表于 11-18 17:11 ?1147次阅读
    BGA焊接产生不饱满焊点的<b class='flag-5'>原因</b>和解决方法

    主动静电与漏电防御策略是全面消除整个电子制造过程中的工艺及品质盲点的最佳策略

    电子产品过早失效的根本原因之一,在于静电漏电导致的潜在损伤难以控制和难以监测,通过主动防御策略的实施,效果显著,非常值得向业界推荐推广
    的头像 发表于 11-18 10:45 ?544次阅读
    主动静电与漏电防御策略是全面消除整个电子制造过程中的工艺及品质盲点的最佳策略

    探究全电池容量衰减的根本原因

    高压尖晶石正极LiNi0.5Mn1.5O4(LNMO)具有高能量密度和低成本的优势,是高性能电池的理想正极。然而,全电池中的容量快速衰减问题限制了其商业化应用。这归因于活性锂损失与活性物质损失之间复杂的相互作用。虽然先进的表征技术揭示了一个或两个电池组件的活性锂损耗机制,但量化全电池体系各组分中的锂含量变化仍难以实现。
    的头像 发表于 11-11 16:26 ?1539次阅读
    探究全电池容量衰减的<b class='flag-5'>根本原因</b>

    运放的哪些参数可以反映出它的不对称性?

    运放的对称性在温度低的时候可能不是很明显,影响也不大,但是随着温度的升高(例如从25度~~120度),温度升高输出方波的上述时间跟下降时间偏差也会越大,提高运放的SR能相对的减弱这种不对称的影响,但是导致这种不对称的根本原因是什么?运放的哪些参数可以反映出它的不对称性?
    发表于 09-10 08:12

    ESP32-C3因为射频RF电容,导致无限重启怎么解决?

    设计的一个板子,做了25片,其中几片出现了只要一开启wifi,就自动重启的问题。奇怪的是,只要手摸RF天线,问题就消失。 希望大神帮助解释根本原因
    发表于 09-09 07:23

    电力电容器鼓肚的根本原因是什么

    肚及元件击穿的故障。导致其体积膨胀。可千万不能大意 如出现这种类似现象一定要及时更换以免造成严重后果。 电力电容器鼓肚的根本原因通常与以下几个因素有关: 1、过电压 :当电容器长期处于高于额定电压的运行状态时,内
    的头像 发表于 09-03 14:17 ?1980次阅读