扬杰科技推出用于PD电源的N100V MOSFET产品
扬杰科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品
#1产品介绍
N100V MOSFET产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
产品优势：
1.采用最新优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关特性优异；
2.采用PDFN5*6-8L 封装，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的各种工作状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的可靠性。
#2电性参数
#3典型应用
PD充电器
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电源
+关注
关注
185文章
18509浏览量
258481 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
8911浏览量
223481 -
扬杰科技
+关注
关注
1文章
132浏览量
11501
原文标题：新品发布|泰酷啦！N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
文章出处：【微信号：yangjie-300373，微信公众号：扬杰科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Nexperia推出40-100V汽车MLPAK MOSFET
Nexperia（安世半导体）近日推出40-100 V汽车MOSFET产品组合，该系列采用行业标准微引脚封装，专为车身控制、信息娱乐、电池防
提升AR眼镜防护能力，扬杰科技TVS技术革新
? ? 电子发烧友网综合报道，扬杰科技是集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的厂商。公司已经推出了分立器件芯片、MOSFET、IGBT
扬杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列
面对工业电源、BLDC电机驱动、新能源转换系统对功率密度的极致追求，我们正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解决方案。赋能设备向小型化、高频化、高可靠进化!
扬杰科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技术驱动能源变革
Mosfet新品与微沟槽IGBT单管，前者采用高密度沟槽设计，导通电阻降低20%，适用于服务器电源与消费电子快充；后者通过背面加工工艺优化，饱和压降与关断损耗双降，可提升变频器能效5%以上。 二 技术论坛 共探发展 ? ? ?
PSMN2R3-100SSE N沟道100V、2.3 mOhm MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《PSMN2R3-100SSE N沟道100V、2.3 mOhm MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 02-14 15:42
?0次下载
瑞萨电子推出全新100V大功率MOSFET
全球领先的半导体解决方案提供商瑞萨电子，近日宣布了一项重要技术创新——基于其全新的MOSFET晶圆制造工艺REXFET-1，成功推出了两款100V大功率N沟道
瑞萨电子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多领域应用
近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源
扬杰科技11款产品入选《2024长三角汽车芯片产品手册》
热烈祝贺扬杰科技自主研发的2款IGBT产品、7款SiC产品、2款功率MOSFET 产品，共计11
扬杰科技推出全新SiC MOSFET产品
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率
锐骏新款超低导通MOSRUH4040M、80M更适用于新产品研发
（屏蔽栅极槽）技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道MOSFET，适合用于各种高频、高效电源管理应用，尤其在DC/DC转换器、无线充电和同步整流等领域表现优异。
---
发表于 10-14 09:40
扬杰科技发布用于PC主板的PDFN5060 N30V Mosfets
近日，扬杰科技推出了专为PC主板应用设计的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。该产品采用了先进
工商网监
评论