第三代700V GaN上市！英诺赛科上半年营收大增43.4%，机器人和数据中心应用破局

（电子发烧友网报道 文/章鹰）8月28日，英诺赛科发布2025年半年报，英诺赛科营收达到5.53亿元，比去年同期增长43.4%；毛利达到3780万元，从上年的同期亏损转为盈利；毛利率也从之前的负数变成了6.8%，经营亏损收窄。财报披露，英诺赛科营收增长，主要是氮化镓应用领域持续拓展，从数据来看在氮化镓（GaN）市场拓展和成本控制上都有了进展。

加大研发投入，公司重磅推出两款低压GaN电机驱动方案

2025年上半年，英诺赛科的研发成本达到1.623亿元，较上年同期增长11.5%，主要投入在产品应用领域拓展和新品开发。

9月5日，英诺赛科全球氮化镓(GaN)功率半导体领导者宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市！该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。

9月10日，英诺赛科官宣两款低压GaN电机驱动方案。INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案) ，为机器人、无人机、电动工具等低压电机应用带来革命性突破。

图来自英诺赛科官网

这两款低压电机驱动方案，各有什么亮点？一颗分立方案，一颗是集成方案。

首先，INNDMD48V25A1 (分立方案)：采用 6颗INN100EA035A分立器件+3颗INS2003FQ专用驱动IC，更好地发挥了分立方案灵活性。

INNDMD48V22A1(集成方案)：采用3颗ISG3204LA半桥合封GaN（内置驱动），集成度高，布局更简洁。

图来自英诺赛科官网

这两款方案有四大优势：一、损耗大幅降低，能效显著提升在40kHz开关频率、20A相电流条件下：分立方案 (INN100EA035A) 总损耗为11.6W，对标的Si方案为19W，降幅达39%；合封方案 (ISG3204LA) 总损耗为12.3W，对标的Si方案为16.3W，降幅达24.5%。

二、高频性能优异，助力小型化设计GaN器件开关速度快，死区时间可缩短至100ns。当开关频率从20kHz提升至40kHz：INS2003FQ+INN100EA035A分立器件方案中的GaN系统损耗仅增加0.7W，而Si方案增加了4.1W，GaN损耗增量降低83%；频率提升带来的温升仅10℃，为系统继续提升频率、缩小电感与电容体积预留了空间。

三、电流输出能力更强，功率密度更高分立GaN方案最大输出电流有效值比Si方案提升3.5A；在相同温升条件下，可支持更高负载电流，轻松实现更高功率密度。

四、温度表现卓越，系统更可靠在相同散热条件下，GaN器件温度比Si方案低23℃以上；在18A以下相电流时，合封GaN方案可无需散热器，极大减小系统体积。

英诺赛科优化成本结构，机器人和数据中心客户需求大增

英诺赛科2025年上半年销售及营销开支为5390万元，较上年同期的5070万元增加6.4%，主要由于销售人员队伍的扩充，薪酬支出相应增加；行政开支为2.46亿元，较上年同期的2亿元增加21.5%，主要由于报告期内专业咨询服务相关的费用增加。

英诺赛科2025年上半年财务成本为5250万元，较上年同期的4410万元增加19.0%，主要由于报告期内新增贷款利息的增加。

截至2025年6月30日，英诺赛科的现金及现金等价物为14.25亿元，而截至2024年12月31日为15.25亿元。

截至2025年6月30日，英诺赛科的贷款及借款总额为24.95亿元，较截至2024年12月31日增加5.71亿元，主要由于支持扩大生产规模，增加贷款。

从英诺赛科方面获悉，目前，公司已与机器人领域头部企业合作，并成功推出全球首款氮化镓机器人。“今年，由公司提供芯片的氮化镓机器人出货数量有望突破万级规模，单台机器人所需氮化镓芯片约300颗，而随着技术的持续迭代，人形机器人对氮化镓芯片的需求将显著攀升，单台机器人的氮化镓芯片使用量有望增长至1000颗，以实现手指、腰部等关键部位完成难度更高、更复杂的动作。”英诺赛科方面表示。

2025年8月初，英诺赛科宣布公司与英伟达达成合作，联合推动800 VDC（800伏直流）电源架构在AI数据中心的规模化落地。

该架构是英伟达针对未来高效供电兆瓦级计算基础设施而专门设计的新一代电源系统，相比传统54V电源，在系统效率、热损耗和可靠性方面具有显著优势，可支持AI算力100-1000倍的提升。

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