突破能效瓶颈,为下一代电力系统而生!
面对工业电源、BLDC电机驱动、新能源转换系统对功率密度的极致追求,我们正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解决方案。赋能设备向小型化、高频化、高可靠进化!
核心技术特性
超低导通损耗
1.采用先进SGT工艺,具有极佳的RDS(on)
2.正温度系数特性优化,支持多管并联均流
高频开关性能
1.优化栅电荷总量 Qg, 显著降低开关振铃风险
2.反向恢复时间Trr(消除体二极管反向导通损耗)
热管理增强
1.高效散热设计:结壳热阻 RθJC ≤ 0.5℃/W (TO-247封装)
2.最高工作结温 Tj(max) = 175℃,出色的散热性能,优异的温升表现
3.优化MOS产品EAS能力,提高产品的可靠性
4.100% UIS测试认证
封装与兼容性
1.提供PDFN5060, TO-220F, TO-247-3L,TO-263等封装选项
2.引脚定义兼容主流工业标准
应用场景精准赋能
工业电源:
电机控制:
新能源系统:
储能PCS/光伏优化器/车载OBC
伺服驱动器/工业机器人电源
扬杰科技产品优势
扬杰科技 200V N-SGT YJG246G20H (200V-NL 20V, PDFN5060)
产品优势
1.性能指标FOM,优势相较于主流大厂S3超25%
2.BVDSS 典型值 > 220V,提供高耐压冗余设计
3.175 ℃ 1000hr 可靠性验证通过, 有着高可靠性品质
4.低Qg/Ciss/Coss/ Crss, 提供更低切换损耗
全系列产品建构完成, 其产品推荐如下
“选对MOS,让工控设备小型化、高频化、智能化”
200V N-SGT产品适合高功率密度和高效率电力电子系统,兼顾效率与成本,平衡了性能与市场。
工控领域的竞争,本质是电能转换效率与热管理的博弈。MOS作为核心“能效阀门”,其参数选型直接决定了的“速度”与“温度”。唯有紧扣“低阻、高频、耐压、小体积”四大核心,才能在工业控制领域中抢占先机。
关于扬杰
扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,为客户提供一揽子产品解决方案。
公司产品广泛应用于汽车电子、清洁能源、工控、5G通讯、安防、AI、消费电子等诸多领域。
公司于2014年1月23日在深交所上市,证券代码300373,相信在您的关怀支持下,我们一定能够成为世界信赖的功率半导体伙伴。
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原文标题:能效新纪元|200V MOSFET Gen2.0 系列重磅登场!
文章出处:【微信号:yangjie-300373,微信公众号:扬杰科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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