TPS7H3302-SP 3A DDR辐射硬化终端稳压器技术文档总结

该TPS7H3302是一款具有内置VTTREF缓冲器的耐辐射双倍数据速率（DDR）3-A终端稳压器。该稳压器专门设计用于为单板计算机、固态记录仪和有效载荷处理等空间 DDR 终端应用提供完整、紧凑、低噪声的解决方案。

该TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接应用。TPS7H3302 VTT 稳压器的快速瞬态响应允许在读/写条件下提供非常稳定的电源。该TPS7H3302还包括一个内置的 VTTREF 电源，可跟踪 VTT 以进一步减小解决方案尺寸。为了实现简单的电源排序，使能输入和电源良好输出 （PGOOD） 都集成到TPS7H3302中。使能信号还可用于在挂起至 RAM （S3） 掉电模式下对 VTT 进行放电。
*附件：tps7h3302-sp.pdf

特性

• 提供 QMLP TPS7H3302-SP 标准微电路图 （SMD），5962R14228
• 提供空间增强塑料供应商项目图纸，VID V62/22615
• 表征的总电离剂量 （TID）
  • 辐射硬度保证 （RHA） 合格，总电离剂量 （TID） 100 krad（Si） 或 50 krad（Si）
• 单事件效应 （SEE） 表征
  • 单事件闩锁 （SEL）、单事件栅极破裂 （SEGR）、单事件烧毁 （SEB） 免疫高达 LET = 70 MeV-cm2 /mg
  • 单事件瞬态 （SET）、单事件功能中断 （SEFI） 和单事件扰动 （SEU），表征高达 70 MeVcm2 /mg
• 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接应用
• 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
• 低至 0.9 V 的独立低压输入 （VLDOIN） 可提高电源效率
• 3-A 灌电流和源端接稳压器
• 为电源排序启用输入和电源良好输出
• VTT端接稳压器
  • 输出电压范围：0.5 至 1.75 V
  • 3A 灌电流和源电流
• 带检测输入的集成精密分压器网络
• 遥感 （VTTSNS）
• VTTREF 缓冲引用
  • VDDQSNS 精度为 49% 至 51% （±3 mA）
  • ±10 mA 灌电流和源电流
• 集成欠压锁定 （UVLO） 和过流限制 （OCL） 功能
• 塑料包装

参数

方框图

?1. 产品概述?

• ?型号?：TPS7H3302-SP（QMLP级）和TPS7H3302-SEP（航天增强塑料级），支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4终端应用。
• ?核心功能?：3A双向（灌/拉电流）终端稳压器，集成VTTREF缓冲器，专为航天DDR终端设计（如卫星电源系统、载荷处理等）。

?2. 关键特性?

• ?辐射耐受性?：
  • 总电离剂量（TID）达100 krad(Si)（SP）或50 krad(Si)（SEP）。
  • 抗单粒子效应（SEE），包括闩锁（SEL）、烧毁（SEB）等，LET阈值达70 MeV-cm?/mg。
• ?电气性能?：
  • 输入电压：支持2.5V/3.3V轨，VLDOIN最低0.9V以提高能效。
  • 输出电压范围：0.5V至1.75V（VTT），精度±1%（VTTREF跟踪VDDQSNS的49%-51%）。
  • 集成使能（EN）和电源良好（PGOOD）信号，支持电源时序控制。

?3. 应用场景?

• 卫星电力系统（EPS）、光学/雷达成像载荷、单板计算机等航天电子设备。

?4. 封装与型号选项?

• ?封装?：32引脚HTSSOP DAP（6.1mm×11mm，0.184g）。
• ?型号差异?：
  • TPS7H3302-SP：QMLP-RHA认证，100 krad(Si) TID。
  • TPS7H3302-SEP：航天级塑料封装，50 krad(Si) TID。

?5. 设计要点?

• ?布局建议?：
  • 输入/输出电容需低ESR，VTT远端感应（VTTSNS）需独立走线以减少压降。
  • 热焊盘需通过多过孔连接至地平面以优化散热。
• ?电源管理?：支持S3（挂起到RAM）和伪S5模式，通过EN引脚控制VTT放电。

?6. 性能参数?

• ?负载调整率?：±30mV（VTT相对VTTREF，-3A至3A负载）。
• ?保护功能?：欠压锁定（UVLO）、过流限制（OCL）及热关断（非标称工作条件）。

?7. 文档支持?

• 包含辐射测试报告（SLVK132）、评估板指南（SLVUCK2）及JEDEC兼容性说明。