TPS7H3301-SP TPS7H3X01 灌/拉 DDR 终端稳压器

数据： TPS7H3301-SP 内置 VREF 的灌电流/拉电流抗辐射加固型 3A DDR 终端稳压器数据表

描述

TPS7H3301-SP是一款内置VREF的TID和单粒子效应（SEE）抗辐射加固型双倍数据速率（DDR）3A终端稳压这个稳压器专门用于为空间DDR终端应用（如单电路板计算机，固态记录器和载荷处理应用）提供一套完整的紧凑型，低噪声解决方案。

TPS7H3301 -SP支持并兼容DDR，DDR2，DDR3，DDR4以及相关的低功耗JEDEC规范。凭借快速瞬态响应，TPS7H3301-SP VTT稳压器可在读取/写入状态下提供稳定性较高的电源.TPS7H3301-SP还包含一个内置的VREF电源。该电源可跟踪VTT以进一步缩减解决方案尺寸。在瞬态变化过程中，VREF电源的快速跟踪功能能够最大限度地降低VTT和VREF之间的电压偏移。请参见。

为了简单的启用电源排序，使能输入和电源正常输出（PGOOD）已在TPS7H3301-SP中集成.PGOOD输出是开漏输出，因此可在所有电源进入稳压状态时TPS7H3301-SP采用TI常用的16引用其中脚耐热增强型双陶瓷扁平封装（HKR），TPS7H1101-SP同样采用这种封装。

特性

QML V类符合5962-14228 ^{（1）（2）}
- 总电离剂量为100krad（Si）
  - 高剂量率（HDR）（50-100 rad（Si）/s）
  - 低剂量率（LDR）（0.01 rad（Si）/s）
- 单粒子锁定（SEL），单粒子栅穿（SEGR），单粒子烧毁（SEB）对于线性能量传输（LET）的抗扰度= 65MeV- cm ² /mg
- 单粒子瞬变（SET），单粒子功能中断（SEFI），单粒子翻转（SEU）的抗扰度为65MeV-cm ² /mg（详细信息请参见）
支持DDR，DDR2，DDR3，DDR3LP和DDR4终端应用并兼容JEDEC标准

^（3）

独立低电压输入（VLDOIN）降至
0.9V以改善电源效率^（3）
具有压降补偿功能的3A灌电流/拉电流终端稳压器
用于电源排序的使能输入和电源正常输出
VTT终端稳压器
- 输出电压范围：0.5V至1.75 V
- 3A灌电流和拉电流
- 精度为±20mV
具有感测输入的精密集成分压器网络
远程感测（VOSNS）
VTTREF缓冲参考输出
- 精度为VDDQ /2±1％
- ±10mA灌/拉电流
集成了内置软启动（SS），欠压锁定（UVLO）以及过流限制（OCL）功能

应用

采用DDR，DDR2，DDR3和低功耗DDR3和DDR4存储器的单电路板计算机，固态记录器和载荷应用
超快速瞬态电源应用
支持军用温度范围（-55°C至125°C）
提供工程评估（/EM）组件^（4）

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比?DDR 存储器电源产品

?
DDR Memory Type
Iout VTT (Max) (A)
Iq (Typ) (mA)
Output
Vin (Min) (V)
Vin (Max) (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Regulator Type
Vout VTT (Min) (V)
?

TPS7H3301-SP
DDR DDR2 DDR3 DDR3L DDR4 LPDDR2 LPDDR3 ? ?
3 ? ?
18 ? ?
VREF VTT ? ?
0.9 ? ?
3.5 ? ?
Complete Solution PGOOD Shutdown Pin for S3 ? ?
Space ? ?
-55 to 125 25 only ? ?
CFP ? ?
See datasheet (CFP) ? ?
Linear Regulator ? ?
0.6 ? ?