成都华微32位RISC-V超低功耗MCU新品发布-电子发烧友网

自8月12日成都华微公告发布全新32位RISC-V超低功耗MCU 后，现首次在elexcon深圳国际电子展上亮相该产品。

产品核心特点

超低功耗设计-大幅延长电池续航时间

高性能32位RISC-V内核-处理效率显著提升

丰富外设接口-支持多种应用场景

高可靠性-esd 7000V

指标特点

·基于RISC-V开源指令集自主架构内核，

3级流水设计：

·存储空间：64 KB eFlash,4 KB SRAM;

·超低功耗设计：工作功耗120 uA/MHz,

·待机功耗<200nA,150uS唤醒；

·丰富外设单元：支持CAN2.0、PWM、

UART、I2C、SPl、Timer等通用接口；

·支持11通道ADC 12bits精度@1MSPS;

·支持DAC 12bits@1MSPS:

·内置电压参考和比较器；

·支持24 bit GP1O:

·支持LED8段码：

。支持RTOS、鸿蒙Lite OS;

·支持2线CJTAG调试模式；

·ESD等级7000V(HBM);

·封装形式及大小：QFN28(4mmx4mm),

QFN20(3mmx3mm);

技术特点超低功耗设计

支持低功耗电源管理，支持睡眠模式和旁路模式，支持快速唤醒；

支持内建中断管理，支持软件中断、定时器中断和外设中断，支持中断优先级、向量中断处理模式和快速中断响应；

·内建调试系统，支持简化2线CJTAG或者4线JTAG接口；

高可靠ESD等级；

轻量化的封装形式；

超低待机功耗，支持电池供电长续航；

自主创新

支持自主硬件架构+国产鸿蒙操作系统，国产自主底层硬件+国产自主底层软件双轮驱动；

·针对低功耗场景多层级低功耗设计：芯片系统架构，定制化内核架构设计，电路级低功耗设计，物理实现低功耗设计；

·高可靠ESD设计；

·高分辨率PWM设计；

封装选择

提供QFN28（4mm×4mm）和QFN20（3mm×3mm）两种轻量化封装选择，适用于对空间和功耗有严苛要求的应用领域。

应用场景

脑机接口

物联网终端

可穿戴设备

工业控制系统

智能家居产品

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原文标题：成都华微32位RISC-V超低功耗MCU新品详情来啦！

文章出处：【微信号：gh_7bc74d60773b，微信公众号：成都华微】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

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