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森国科推出TOLL封装1200V/50A SiC二极管KS50120-K2

森国科 ? 来源:森国科 ? 2025-08-16 15:54 ? 次阅读
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在功率半导体飞速迭代的进程中,碳化硅(SiC)功率器件凭借高频、高压、低损耗、耐高温等优异性能,成为高效功率转换的核心器件。而要将这些晶圆级的性能优势完美转化成系统级价值,先进封装技术的支撑不可或缺——它如同一座桥梁,直接影响着器件的散热、稳定性、功率密度及可靠性。特别是在追求极致空间利用率的砖块电源、服务器电源、新能源车载充电器(OBC)等场景下,传统封装正逐渐暴露瓶颈。

在这样的背景下,森国科(Gokeic)近期推出的1200V/50A SiC二极管KS50120-K2为何选择采用TOLL封装?

TOLL封装:为高功率密度应用而生

TOLL(TO-Leadless)封装是专为表面贴装(SMT)优化设计的新兴封装形式,在物理结构和性能层面都超越了传统主力TO-263(D?PAK)和TO-247:

01空间革命

TOLL的典型厚度仅约为2.3mm,相较同等性能等级厚度超5mm的TO-247有着显著的身材优势,TOLL通过独特的“翼型+底部大面积开窗”设计,同时实现了极其紧凑的占板面积与绝佳的双面散热能力,这对寸土寸金的高密度电源设计至关重要;

02高效散热

TOLL封装的灵魂在于底部开有大面积散热片(热焊盘),热阻较TO-263平均降低约30%,允许芯片热量通过回流焊PCB底部铜箔与散热器高效传导。这种“双面散热”结构配合2.3mm的低厚度,在大电流工况下能显著降低结温,提升稳定性和长期寿命;

03稳固可靠

无曲折、短平的粗壮引脚结构(TOLL名称来源),搭配优化的“翼型”结构设计,大幅提升贴装后的机械强度和抗热应力能力,尤其适合在汽车等振动与严苛温度循环的应用场景下使用,保证系统长期运行的稳健性;

04SMT便捷性

TOLL采用全表面贴装结构,与传统插件型TO-247相比消除了波峰焊的瓶颈和人工成本,尤其在高集成化、紧凑型模组设计中更易实现自动化回流焊,提升批量制造效率及良品率。

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为满足电力电子产品小型化、高功率密度的需求,森国科首家推出了TOLL封装SiC二极管,成为行业领跑者。其推出的1200V/50A SiC JBS器件KS50120-K2,正是这一封装技术的首秀载体。这款高效续流二极管专为PFC电路、变频驱动或OBC中的桥臂应用深度优化。TOLL封装的引入显著缩小了系统占用空间,通过更优的低热阻路径和更高电流密度提升了系统的整体功率密度,同时兼顾了高频工况下的可靠性与散热需求。

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随着SiC器件快速渗透入服务器电源、快充系统、新能源汽车等关键场景,系统的高功率密度和极端可靠性要求成为核心突破点。以森国科KS50120-K2为标志性代表的新一代TOLL封装SiC二极管,正在通过薄型化优化、热管理跃升与制造增效,为功率模块的小型化、自动化与集成化探索一条更优路径——封装不仅是芯片的“外衣”,更是解锁未来高效能源转换系统的物理钥匙。

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块,功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFETIGBT,功率芯片主要包括功率器件驱动芯片无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区,在深圳、成都设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%,研究生以上学历占比50%,来自联发科海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构,囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

森国科碳化硅产品线为650V和1200V 碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块,该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆,具有高耐温,高频,高效,高压特性,已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。

森国科功率IC采用先进的高压特色工艺,包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展,该产品线的团队在BCD工艺,UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片,已经大规模量产中低压系列,即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面,成功推出了单相BLDC散热风扇电机系列和三相BLDC电机驱动系列。

森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下,以低成本创新为己任,努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力,成为全球领先的功率半导体公司!

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原文标题:TOLL封装SiC二极管:高密度时代的封装新宠

文章出处:【微信号:SGKS2016,微信公众号:森国科】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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