森国科推出SOT227封装碳化硅功率模块

碳化硅（SiC）功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。

SOT227作为成熟工业级封装标准，其结构性优势完美适配SiC器件的特性需求，是释放SiC 功率器件性能潜力的最优载体。SOT227 有如下的封装结构及工艺特性：

PART.01 超低寄生参数

--超低寄生参数：

一体成型的端子布局与紧凑内部结构，寄生电感<10nH，显著抑制开关振荡，使SiC MOSFET的超快开关性能（开关频率达100kHz+）得以充分发挥。

--紧凑型模块设计

SOT227是一种内绝缘封装，基板（DBC）面积大于TO-247，可容纳更多或更大尺寸的SiC芯片（如多芯片并联或混合拓扑集成），同时整体体积显著小于传统大功率模块，适用于空间受限的高密度设计。

引脚设计：终端引脚尺寸更大，支持更高电流承载能力（例如1200V SiC MOSFET通流能力达121A，较TO-247提升9%）。

--绝缘与散热优化

内绝缘陶瓷垫片：内置Al?O?或AlN陶瓷绝缘层，无需外加绝缘垫片，减少外部热阻并简化安装流程；

低热阻设计：结到散热器的热阻（Rθ-jHs）比TO-247降低50%以上。例如，部分SiC MOSFET模块的结壳热阻低至0.67 K/W，显著提升散热效率。

--机械与安全特性

高绝缘可靠性：端子间爬电距离≥10.4mm，隔离电压达2500Vrms，满足工业安全标准（如IEC 60601）；

简化安装：支持标准M4螺钉安装，扭矩规格明确（1.5N·m），降低装配复杂度并提高生产良率。

PART.02 电气性能优势 高频与低损耗特性

--开关性能

SiC器件支持超高速开关（如Turn-On Delay 19ns，Rise Time 27ns），开关损耗极低（175℃时Eon=500μJ, Eoff=250μJ），适用于高频应用（如射频电源、LLC谐振转换器）。

--低导通损耗

SiC MOSFET导通电阻可低至7.6mΩ。

SiC肖特基二极管正向压降低至1.36V，电容电荷（Qc）仅56nC，显著降低导通与开关损耗。

--高温与可靠性表现

工作温度：支持高达175℃环境温度，正温度系数特性便于多器件并联均流。

鲁棒性设计：内置SiC SBD续流二极管无反向恢复问题（反向恢复时间16ns），避免电压尖峰和EMI噪声；雪崩耐量设计增强抗负载突变能力。

SOT227 封装的SiC 模块出色的性能， 可在如下的典型应用场景中大显身手： 01 中高功率工业系统

填补功率缺口：适用于数十至数百千瓦功率段（如TO-247与62mm模块之间的空白），覆盖光伏逆变器、充电桩、工业UPS等场景。

高频电源：AC/DC PFC、DC/DC超高频整流（如电信电源、服务器电源），依赖低Qc和高速开关实现＞95%效率。

02 精密与严苛环境设备

半导体制造设备：等离子体射频发生器、PECVD电源，需高精度功率控制与低EMI特性。

医疗与航空航天：密封设计适配高湿度环境，金属法兰安装增强机械稳定性（如至信微模块应用于航空航天领域）。

森国科基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圆，基于SOT227 封装，适时推出了SOT227 封装的SiC MOSFET 及 JBS 模块产品

KC017Z12J1M1 SiC MOSFET

KC100D12J1M1 SiC JBS

SOT227封装赋予了SiC器件系统级创新的战略支点。森国科的SOT227模块化方案让客户在保持设计兼容性的同时，直接解锁SiC的能效红利。SOT-227封装通过结构创新（内绝缘、紧凑布局）与SiC材料优势（高频、耐高温）的结合，解决了中高功率系统在功率密度、散热效率和安装成本上的痛点。其标准化设计（如引脚兼容性）进一步推动了对传统硅基器件的替代，尤其在高频、高温及可靠性要求严苛的领域具备不可替代性。

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

森国科碳化硅产品线为650V、1200V 和碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。

森国科功率IC采用先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片，已经大规模量产中低压系列，即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面，成功推出了单相BLDC散热风扇电机系列和三相BLDC电机驱动系列。

森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司！