构建HBF技术生态，闪迪首批高带宽闪存HBF 2026年出样-电子发烧友网

电子发烧友网综合报道，日前，闪迪宣布已与SK海力士签署一项谅解备忘录，双方将共同制定高带宽闪存 (High Bandwidth Flash，HBF) 规范。通过此次合作，双方希望标准化规范、定义技术要求，并探索构建HBF的技术生态系统。

高带宽闪存(HBF)是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构。在设计上，HBF结合了3D NAND闪存和高带宽存储器(HBM)的特性，能更好地满足AI推理的需求。

HBF的堆叠设计类似于HBM，通过硅通孔(TSVS)将多个高性能闪存核心芯片堆看，连接到可并行访问闪存子阵列的逻辑芯片上。也就是基于 SanDisk的BICS 3D NAND 技术，采用CMOS直接键合到阵列(CBA)设计，将3D NAND存储阵列键合在I/0 芯片上。

HBF 打破了传统的 NAND 设计，实现了独立访问的存储器子阵列，超越了传统的多平面方法，这种设计提高了存储器的并行访问能力，从而提升了带宽和吞吐量。

HBF可匹配HBM的带宽，同时以相近的成本实现每个堆栈的容量比HBM高出8到16倍。HBF使用16个核心芯片，单堆栈容量可达512GB，8个HBF堆栈可实现 4TB的容量。

SK海力士作为全球HBM技术的领导者，在高性能存储解决方案领域拥有深厚的技术积淀与产业链整合能力。其参与HBF标准制定将为这一新兴技术注入关键的行业经验，确保HBF与现有GPU、中介层及系统架构的无缝兼容。

闪迪则凭借在NAND闪存领域的创新积累，特别是其专有的BiCS NAND技术与晶圆键合工艺，为HBF提供了高密度、高可靠性的存储基础。双方通过优势互补，不仅加速了HBF从概念验证到商业化落地的进程，更致力于将其塑造为跨厂商的通用标准，避免技术碎片化风险。

根据合作计划，闪迪目标于2026年下半年推出首批HBF内存样品，并在2027年初实现搭载该技术的AI推理设备原型验证。这些设备预计将覆盖从手持终端到服务器的全场景应用，为边缘计算与超大规模数据中心提供灵活的内存扩展方案。

研究表明，大型语言模型（LLM）的推理效率受限于内存容量与带宽的平衡难题，而HBF通过分层存储架构（如HBM+闪存混合堆栈）提供了全新思路。尽管NAND闪存的延迟高于DRAM，但其非易失性与高容量特性使其成为冷数据存储的理想选择，配合HBM处理热数据，可显著优化整体系统效率。