Texas Instruments ISOM8110DFGEVM评估模块评估ISOM8110单通道光电仿真器，具有模拟晶体管输出，采用4引脚DFG SOIC封装。 此模块具有适用于光电晶体管光电耦合器的直接升级和引脚兼容，各种温度条件下稳定的CTR性能，并提供用于基本修改的无源器件和封装。

数据手册：*附件：Texas Instruments ISOM8110DFGEVM 驱动评估模块用户指南.pdf

特性

• 适用于光电晶体管光电耦合器的直接升级和引脚兼容
• 多个测试点和连接接头可实现快速器件评估
• 1通道二极管仿真器输入
• 包括无源元件和焊盘，用于基本修改
• 最大集电极－发射极电压：80VCEO
• 在宽温度范围内具有稳定的CTR性能
• 用于基本修改的无源器件和封装

原理图

ISOM8110DFGEVM光耦模拟器评估模块技术解析

一、产品核心特性

ISOM8110DFGEVM是德州仪器(TI)推出的单通道光耦模拟器评估模块，具有以下突出特性：

?性能优势?：

• 带宽高达1MHz，关断延迟<100ns
• 电流传输比(CTR)：100%-155%(IF=5mA, VCE=5V)
• 集电极-发射极电压VCEO最高达80V
• 工作温度范围：-40°C至125°C

?技术创新?：

• 采用硅氧化物(SiO2)隔离屏障技术
• 消除传统光耦老化效应和温度漂移
• 输入二极管模拟器功耗降低30%

?封装与兼容性?：

• 4引脚DFG SOIC封装
• 引脚兼容主流光电晶体管输出型光耦
• 评估板尺寸：76.2mm×63.5mm

二、评估模块硬件设计

1. 电路架构

• ?输入侧?：
  • 可调限流电阻R1(默认1kΩ)
  • 输入电容C1(15pF)可选配
  • 测试点TP1-TP4
• ?输出侧?：
  • 集电极负载电阻R3/R4(1kΩ)
  • 输出配置跳线J3/J4
  • 高边/低边输出可选

2. 关键接口说明

3. 典型测试配置

1. ?输入配置?：
   • 电流源连接J1(IF=1-10mA)
   • 示波器探头接TP1(输入波形)
2. ?输出配置?：
   • 负载电阻RL=1kΩ
   • 电源VCC=5-24V
   • 示波器通道接TP6(输出波形)

三、应用方案详解

1. 工业控制系统

• ?PLC数字输入隔离?：
  • 配置为低边输出(J4短接)
  • R1调整为2.2kΩ(IF≈2mA)
  • 增加C2=100pF改善噪声抑制

2. 汽车电子系统

• ? 电池管理系统(BMS) ?：
  • 采用高边输出配置(J3短接)
  • 工作电压12V/24V兼容
  • 通过AEC-Q100认证
• ?布局建议?：
  • 输入/输出地平面分离
  • 隔离带下方避免走线
  • 高压侧保持3mm爬电距离

四、性能测试数据

1. 时序特性

2. 可靠性参数

• 隔离电压：3.75kV RMS
• HBM ESD：±4kV
• 使用寿命：>15年(无光衰问题)

五、设计资源

1. PCB布局指南

• 顶层布局(图3-2)：
  • 输入电路居左
  • 隔离屏障居中
  • 输出电路居右
• 底层布局(图3-3)：
  • 完整地平面
  • 隔离区域开槽

2. BOM关键器件

该评估模块通过创新的光耦模拟技术，为工程师提供了传统光耦升级换代的理想解决方案。其优异的时序性能和汽车级可靠性，使其特别适合工业自动化和汽车电子领域的隔离应用需求。