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TPS546B24S同步降压转换器技术解析与应用指南

科技观察员 ? 2025-08-08 10:18 ? 次阅读
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Texas Instruments TPS546B24S同步SWIFT?降压转换器是一款高度集成、高达4倍可堆叠的非隔离直流/直流转换器,具有PmBus^?^ 和扩展写保护。该降压转换器提供 2.95V至18V输入电压范围、 12个可选开关频率(从225kHz至1.5MHz)以及 20A输出电流。如果与两个、三个和四个其他TPS546B24S转换器相连,TPS546B24S转换器可以在单个输出上提供高达80A的电流。该降压转换器具有集成的5.5mΩ/1.8mΩ MOSFET,并通过引脚搭接可选择0.5V至5.5V的输出,或使用PMBus VOUT_COMMAND选择0.25V至5.5V的输出。TPS546B24S转换器使用专有的固定频率电流模式控制,具有输入前馈和可选的内部补偿元件,可更大限度减小尺寸和提高稳定性。

数据手册:*附件:Texas Instruments TPS546B24S同步SWIFT?降压转换器数据手册.pdf

TPS546B24S转换器通过添加制造商特定的PmBus^?^ 命令以及扩展写保护和密钥,在TPS546B24A的基础上进行了扩展。此功能能够以更高的分辨率限制写入功能,从而提高了安全性,有助于防止恶意访问PMBus。典型应用包括数据中心交换机、机架服务器、有源天线系统、远程无线电、基带单元、自动测试设备、CT、PET和MRI。

特性

  • 2.95V至18V PVIN;2.95V至18V AV IN (4VIN VDD5开关电压)双电源支持
  • 集成5.5mΩ/1.8mΩ MOSFET
  • 具有可选内部补偿的平均电流模式控制
  • 可2倍、3倍、4倍堆叠,电流共享高达 80A,每个输出支持单独地址
  • 通过引脚搭接可选择0.5V至5.5V的输出,或使用 PMBus VOUT_COMMAND选择0.25V至5.5V的输出
  • 广泛的PmBus命令集,可遥测VOUT 、IOUT 和内部裸片温度
  • 通过内部反馈分压器实现差分遥感,可检测到小于 1%的VOUT误差,TJ 为至-40°C至150°C
  • 通过PmBus实现AVS和裕量调节
  • 采用MSEL引脚,引脚编程PMBus默认值
  • 从225kHz到1.5MHz的12个可选开关频率(8个引脚搭接选项)
  • 频率同步输入/同步输出
  • 支持预偏置输出
  • 7mm × 5mm × 1.5mm,40引脚QFN
  • 直接兼容TPS546B24A

功能框图

1.png

应用示意图

2.png

TPS546B24S同步降压转换器技术解析与应用指南

一、关键特性

  • 集成5.5mΩ(高边)/1.8mΩ(低边)MOSFET
  • 支持PMBus?数字接口通信(1MHz时钟速率)
  • 平均电流模式控制,带可选内部补偿
  • 输出电压可通过引脚配置(0.5V-5.5V)或PMBus命令(0.25V-5.5V)设定
  • 12种可选的开关频率(225kHz至1.5MHz)
  • 频率同步输入/输出功能
  • 差分远端电压检测,在-40°C至+150°C结温范围内误差<1%
  • 7mm×5mm×1.5mm 40引脚QFN封装

二、核心技术解析

1. 平均电流模式控制架构

TPS546B24S采用创新的平均电流模式控制架构,具有独立的电流误差积分和电压误差积分环路。这种架构提供了与峰值电流模式控制相似的性能,但不受最小导通时间或最小关断时间的限制。

?控制环路特点?:

  • 输入电压前馈调制器将集成的电流误差信号转换为电感导通时间
  • 电流误差积分器通过调整调制器控制电压来匹配感应电感电流
  • 电压误差积分器通过调整电流控制电压VSHARE来调节输出电压

2. 功率级设计

器件集成了高效率的功率MOSFET:

  • 高边MOSFET导通电阻:5.5mΩ@VBOOT-VSW=4.5V,25°C
  • 低边MOSFET导通电阻:1.8mΩ@VVDD5=4.5V,25°C
  • 支持预偏置输出启动,防止从预偏置输出放电

3. 数字接口与配置

通过PMBus接口可实现全面的数字控制:

  • 输出电压编程与监控
  • 故障保护阈值配置
  • 软启动/软停止时间设置
  • 遥测数据读取(电压、电流、温度)
  • 支持1MHz高速通信

三、典型应用

1. 单相应用配置

作为独立器件使用时典型连接方式:

  • GOSNS/VOSNS:分别连接输出地/输出正极
  • EN/UVLO:使能控制或电阻分压器
  • MSEL1/MSEL2/VSEL/ADRSEL:配置引脚
  • VSHARE:悬空或旁路至AGND

2. 多相堆叠配置

多相应用时需注意:

  • 控制器设备(环控器)GOSNS接地
  • 跟随器设备(环随器)GOSNS接BP1V5
  • 所有设备VSHARE互连
  • BCX_CLK/BCX_DAT用于相位间通信

3. 关键外围元件选择

?输入电容器?:

  • 建议使用X5R或更好材质的陶瓷电容
  • PVIN-PGND间至少放置一个0402 2.2nF-10nF X7R电容

?输出滤波器?:

  • 根据开关频率选择电感(典型300nH)
  • 输出电容需考虑纹波电流和瞬态响应要求

?自举电路?:

  • 典型100nF X5R陶瓷电容(BOOT-SW)
  • 可选串联电阻(最大8Ω)降低SW尖峰

四、保护功能

1. 电流保护

  • 低边过流保护(4-31A可编程)
  • 高边短路保护(1.5×低边阈值)
  • 负电流保护(-10A阈值)

2. 电压保护

  • 输入欠压锁定(2.5-15.75V可编程)
  • 输出过压保护(105%-140%可编程)
  • 输出欠压保护(60%-95%可编程)

3. 温度保护

  • 结温监测与保护
  • 过热警告(可编程阈值)
  • 170°C热关断(固定阈值)

五、设计要点

  1. ?布局考虑?:
  • 保持功率回路面积最小化
  • 将AGND与PGND在器件散热焊盘下方单点连接
  • 输入电容尽量靠近PVIN和PGND引脚
  1. ?热管理?:
  • 结至环境热阻:25.3°C/W(单层PCB)
  • 确保足够的散热和气流
  • 监控READ_TEMPERATURE_1参数
  1. ?PMBus配置?:
  • 通过VSEL/MSEL引脚或PMBus命令配置
  • 建议使用TI提供的TPS546x24S补偿和引脚配置计算工具
  • 关键参数可存储至非易失性存储器

六、典型应用领域

  • 数据中心交换机、机架服务器
  • 有源天线系统、远程无线电单元
  • 自动化测试设备、医疗成像系统
  • ASIC/SoC/FPGA核心及I/O电源
  • 高电流POL(负载点)电源
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