力积存储港股IPO，蓄力研发AI存算方案

电子发烧友网综合报道，5月28日，浙江力积存储科技股份有限公司（以下简称"力积存储"）向港交所提交上市申请书，独家保荐人为中信证券（香港）有限公司。

力积存储是中国领先的内存芯片设计公司及AI存算解决方案供应商。凭借深厚的技术积累、国际化的研发佈局、全面的产品矩阵以及产业链深度合作伙伴关係，拥有广泛的客户群体并实现产品及解决方案的大规模商业化。

2022年、2023年及2024年的收入分別为人民币609.9百万元、人民币580.3百万元及人民币646.4百万元。2022年、2023年及2024年录得净亏损分别为人民币139.0百万元、人民币244.3百万元及人民币108.9百万元。于2023年净亏损增加，主要是由于年内产生大量股份支付费用。



四大产品线

根据弗若斯特沙利文的资料，按2024年利基DRAM收入计，力积存储在全球利基DRAM市场的中国内地公司中排名第四。根据弗若斯特沙利文的资料，公司是中国AI存算行业的先
行者，掌握了WoW 3D异构集成核心技术，在积极推进并力争成为率先实现高带宽内存产品量产的中国内地公司之一。为多种应用提供完整的定制化存储解决方案，包括消费电子及网络通信（如Wi-Fi路由器及智能家用电器）、物联网设备、汽车电子、能源及工业控制设备。

? 内存芯片：自主设计的内存芯片，经过严格的封装和测试，广泛应用于嵌入式系统，在商业级与工业级领域有广泛应用。其中，商业级内存芯片主要应用于消费电子和网络通信（如机器人、智能音响及Wi-Fi设备等），而工业级内存芯片则专为更高要求的工业控制应用服务，尤其能够满足极低温环境下的可靠性要求，确保在极端使用条件下的稳定性和长寿命。

? 内存模组：由存储芯片颗粒与PCB主板经过精密封装工艺整合而成，广泛应用于高端运算产品，如行业级PC和企业级服务器等。通过高效的封装与模块化设计，内存模组能够提供卓越的性能和稳定性，满足不同应用场景对存储密度、速度及可靠性的严苛要求。

? 内存KGD晶圆：主要为SoC厂商提供定制化内存KGD晶圆。在芯片设计阶段，针对客户需求进行精准的晶圆测试，并将合格的晶圆交付给下游厂商用于后续封装加工。通过与客户深度合作，晶圆都符合客户的高标准技术要求。

? AI存算解决方案：开发中的AI存算解决方案涵盖AI存算用存储芯片、AI存算用高带宽WoW 3D堆叠产品、以及AI存算用新型存储器周边产品及服务，产品及解决方案可以广泛应用于人工智能推理、边缘计算、智能驾驶等前沿领域，预计可有效纾缓数据密集型AI应用的存储瓶颈，尤其是在边缘运算和AI推理等场景中，提升计算效率和存算一体化性能。

2025年4月，公司与力积电签署了基于19纳米及以下制程开发内存产品的合作协议。该项目达成后，预计将为中国国内芯片设计公司目前可用的最先进制程，这也将使其成为少数拥有该等先进工艺能力的中国内地芯片设计公司之一。2025年5月，已实现专为高密度互连应用设计的硅中介层解决方案的商业化。

客户方面，所在的行业包括消费电子、网络通信、汽车电子、能源及工业控制设备。截至2024年12月31日止三个年度，来自五大客户的收入分别约为人民币390.2百万元、人民币387.6百万元及人民币336.1百万元，分别占相应年度总收入的约64.0%、66.8%及52.0%。
截至2024年12月31日止三个年度，向前五大供应商采购的金额分别约为人民币672.8百万元、人民币475.9百万元及人民币451.1百万元，分别占相应年度采购总额约97.0%、88.6%及76.2%。

力积电一直是公司唯一的第三方代工供应商。截至2022年、2023年及2024年12月31日止年度，从力积电的采购价值分别占相应期间总采购额的34.4%、49.1%及42.4%。此外，亦从有限数量的外包半导体封装和测试公司采购封装、测试及组装服务，包括福懋科技及南茂科技。

混合堆叠内存HSM 2026年量产

高带宽内存产品是未来AI应用突破存储壁垒的重要助力，正在逐渐成为GPU主流内存解决方案。力积存储自主研发了基于“Wafer-on-Wafer 3D异构集成技术”的“1层逻辑晶圆+1层内存晶圆”解决方案，将逻辑晶圆与内存晶圆在垂直方向上使用TSV硅通孔技术，通过混合键合技术封装在一起，形成了领先的高带宽3D堆叠内存解决方案。

传统方法是利用TSV和微凸块技术垂直堆叠多片内存晶圆，再辅以逻辑控制晶圆进行运作管理。该等堆叠式内存芯片再透过CoWoS封装与逻辑芯片互连。这种设计范例可有效满足AI工作负载的高速资料处理需求和带宽需求。例如，最新的DDR5产品可提供约5,600 Mbps的资料传输速率及约50 GB/s的带宽，而领先的以HBM为中心的解决方案则可达到超过9.6Gbps的传输速率和超过每秒1TB的带宽。预计在2026年将以存储为中心的高带宽内存芯片（称为“混合堆叠内存HSM）”）商业化。HSM芯片代表了多层堆叠技术的一大进步。透过采用混合接合技术进行芯片裸片堆叠，其于TSV间距、热分佈和整体性能方面都优于现有的解决方案。



堆叠存储的优点在于可降低每比特能耗。然而，这种方法伴随着大量的输入╱输出介面，通常会导致大量的总功耗。因此，其可能会引起热管理的挑战。为解决这个问题，从热源到散热器的有效散热至关重要。

在采用微凸块的堆叠方案中，热量扩散主要局限于凸块与晶圆之间的键合面。此外，诸如非导电薄膜(NCF)这类底部填充材料具有较高的热阻，这进一步阻碍了热量传递。相比之下，无凸块混合键合的WoW方案展现出卓越的热扩散性能。由于不存在凸块，热传导面积得以增加，而且采用极薄抛光晶圆能显著加快热量在多层结构中的扩散速度。

根据弗若斯特沙利文的资料，从2025年至2029年，全球算力规模预计将增长2倍、AI服务器出货量将增长1倍，预计将成为推动高带宽堆叠DRAM市场增长的核心因素。2024年全球高带宽堆叠内存产品市场规模达到人民币1,189亿元，预计2024年至2029年将保持超过25.2%的复合年增长率。现有高带宽堆叠内存产品供应远不能满足市场需求。

国产AI芯片的加速推出和应用，正推动市场对高带宽堆叠内存产品国产化的需求。根据弗若斯特沙利文的资料，2024年国产芯片在中国AI芯片市场份额为20%以上，2025年预计进一步提升至逾30%。预计力积存储将于2026年正式推出HSM产品，成为国内高带宽3D堆叠内存芯片生产和商业化的先驱。凭借强大的政策支持、不断扩展的下游应用以及对创新的承诺，有望在未来几年持续增长并引领市场。