UCC21330-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器系列,具有可编程死区时间和宽温度范围。它采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流设计,可驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。
UCC21330-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,具有最小 125V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。
*附件:ucc21330-q1.pdf
保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能,以及拒绝短于 5ns 的输入瞬变的集成去毛刺滤波器。所有电源均具有 UVLO 保护。
凭借所有这些高级功能,UCC21330-Q1 器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
特性
- 通用:双低侧、双高侧或半桥驱动器
- 符合 AEC-Q100 标准,结果如下
- 设备温度等级 1
- 结温范围 –40 至 +150°C
- 高达 4A 的峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 高达 25V VDD 输出的驱动电源
- 5V、8V、12V VDD UVLO 选项
- 切换参数:
- 33ns 典型传播延迟
- 5ns 最大脉宽失真
- 10μs 最大 VDD 上电延迟
- 所有电源的 UVLO 保护
- 快速禁用电源排序
参数
方框图
一、产品概述
二、主要特性
- ?通用性?:支持双低侧、双高侧或半桥驱动配置
- ?AEC-Q认证?:设备温度等级1,结温范围-至+0°C
- ?驱动能力?:高达A峰值源电流和A峰值沉电流
- ? 共模瞬态免疫(CMTI) ?:大于V/ns
- ?隔离电压?:3kV RMS
- ?保护特性?:UVLO保护、快速禁用功能、可编程死区时间、去抖动滤波器
三、电气特性
- ?供电电压?:
- VCCI:.V至5.5V
- VDDA/VDDB:多种选项,包括5V、V、V和V
- ?输出电流?:
- 峰值源电流:A
- 峰值沉电流:A
- ?传播延迟?:ns(典型)
- ?脉冲宽度失真?:ns(最大)
- ?VDD上电延迟?:?s(最大)
四、功能描述
- ?可编程死区时间?:通过DT引脚和外部电阻设置
- ?禁用功能?:DIS引脚高电平禁用两个输出
- ?UVLO保护?:所有电源均具有UVLO保护,防止电压过低时误操作
- ?去抖动滤波器?:内置去抖动滤波器,拒绝短于5ns的输入瞬态
五、应用信息
- ?典型应用?:用于驱动MOSFET、SiC、GaN和IGBT等功率晶体管
- ?设计考虑?:
- 输入和输出滤波器的设计
- 栅极电阻的选取,以调节开通和关断速度
- 死区时间的设置,以避免交叉导通
六、封装与尺寸
- ?封装类型?:SOIC-6
- ?尺寸?:具体尺寸信息见文档详细规格
七、文档与支持
该文档全面介绍了UCC0-Q隔离双通道栅极驱动器的技术规格、电气特性、功能描述、应用信息、封装尺寸以及相关的文档和支持资源。该驱动器适用于多种汽车和工业应用,提供高效、高功率密度和鲁棒性。
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