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LM74202-Q1 具有集成 FET 的 4.2V 至 40V、2.2A 300uA IQ 汽车类理想二极管数据手册

科技绿洲 ? 2025-05-09 13:40 ? 次阅读
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LM74202-Q1 器件是一款紧凑、功能丰富的 40V 集成理想二极管,具有一整套保护功能。宽电源输入范围允许控制 12V 汽车电池驱动型应用。该器件可承受并保护负载免受高达 ±40 V 的正负电源电压的影响。负载、电源和设备保护具有许多可编程功能,包括过流、浪涌电流控制、过压和欠压阈值。该器件的内部坚固保护控制块以及 40 V 额定电压简化了 ISO 标准脉冲测试的系统设计。
*附件:lm74202-q1.pdf

关断引脚提供外部控制,用于启用和禁用内部 FET,并将器件置于低电流关断模式。对于系统状态监控和下游负载控制,该器件提供故障输出和精确的电流监控输出。MODE 引脚允许在三种限流故障响应 (断路器、闭锁和自动重试模式) 之间灵活地配置器件。设备监控 V (印度) 和 V (出) 在 V(IN) < (V(OUT)-10mV) 时提供反向电流阻断。此功能可保护系统总线在输出短路到电池故障期间免受过压的影响,还有助于在电源故障和掉电情况下满足电压保持要求。

该器件采用 5 mm × 4.4 mm 16 引脚 HTSSOP 封装,额定温度范围为 –40°C 至 +125°C。

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
    • 温度等级 1:–40°C ≤ T 一个 ≤ +125°C
    • AEC-Q100-012 短路可靠性 A 级
    • HBM ESD 分类 2 级
    • CDM ESD 分类等级 C6
  • 4.2V 至 40V 工作电压,最大 42V
  • 集成反向输入极性保护,电压低至 –40 V
  • 集成背靠背 MOSFET,总 RON 为 150 mΩ
  • 瞬态抗扰度高达 55 V
  • 0.1A 至 2.23A 可调电流限制
    (1A 时精度为 ±5%)
  • ISO7637 和 ISO16750-2 测试期间的负载保护
  • 电池短路和对地短路保护
  • 反向电流阻断,防止输出对电池短路
  • IMON 电流指示器输出(±8.5% 精度)
  • 低静态电流(工作时为 285 μA,关断时为 16 μA)
  • 可调 UVLO、OVP 截止、浪涌电流控制
  • 可选限流故障响应选项(自动重试、闭锁、CB 模式)
  • 采用易于使用的 16 引脚 HTSSOP 封装

参数
image.png

方框图
image.png

1. 产品概述

  • ?产品名称?:LM74202-Q1
  • ?类型?:40-V, 2.2-A 集成理想二极管,具有过压和过流保护
  • ?应用?:适用于汽车应用,如前置摄像头、后置摄像头、驾驶辅助ECU、车联网控制单元等

2. 主要特性

  • ?AEC-Q100认证?:适用于汽车应用,温度等级1:-40°C至125°C
  • ?工作电压?:4.2V至40V,最大42V
  • ?反向输入保护?:集成反向输入极性保护,可承受-40V反向电压
  • ?瞬态承受能力?:高达55V的瞬态承受能力
  • ?电流限制?:0.1A至2.23A可调电流限制,±5%精度(1A时)
  • ?保护功能?:包括过压保护、欠压锁定、短路保护、反向电流阻断等
  • ?电流监测?:IMON电流指示输出,±8.5%精度
  • ?低功耗?:工作状态下285?A,关断状态下16?A
  • ?故障响应模式?:可选电流限制故障响应模式(自动重试、锁存关闭、电路断路器模式)

3. 功能描述

  • ? 欠压锁定(UVLO) ?:当UVLO引脚电压低于设定阈值时,关闭内部FET并断言FLT引脚
  • ? 过压保护(OVP) ?:当OVP引脚电压超过设定阈值时,关闭内部FET并断言FLT引脚
  • ?反向电池保护?:集成反向输入极性保护,无需额外二极管
  • ?热插拔和浪涌电流控制?:通过dVdT引脚控制输出电压上升斜率,限制浪涌电流
  • ?过载和短路保护?:提供过载电流限制和短路保护功能,包括快速跳闸比较器
  • ? 故障指示(FLT) ?:在故障条件下(如欠压、过压、过载、反向电流、热关断)断言FLT引脚
  • ?电流监测?:IMON引脚输出与负载电流成比例的电流,可用于系统健康监测

4. 封装信息

  • ?封装类型?:16引脚HTSSOP封装
  • ?封装尺寸?:5.00mm × 4.40mm

5. 应用信息

  • ?典型应用?:提供了12V、2A理想二极管负载保护电路示例,适用于汽车ECU
  • ?设计步骤?:包括设置欠压锁定和过压设定点、编程电流限制阈值、编程电流监测电阻、限制浪涌电流等

6. 布局指南

  • ?旁路电容?:推荐在IN引脚和GND之间放置0.1?F或更高值的陶瓷旁路电容
  • ?走线?:高电流承载路径应尽可能短,并且尺寸应至少为满载电流的两倍
  • ?保护器件?:保护器件(如TVS、二极管)应靠近受保护器件放置,并使用短走线以减少电感

7. 文档和支持

  • ?相关文档?:提供了LM76202-Q1EVM用户指南等相关文档链接
  • ?更新通知?:用户可注册接收文档更新通知
  • ?社区资源?:提供了TI E2E支持论坛链接,供工程师获取快速、经验证的设计帮助

8. 订购信息

  • 提供了可订购部件号、状态、封装类型、引脚数、载带、RoHS状态、引脚镀层/球材料、MSL等级、峰值回流温度、工作温度范围等详细信息。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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