LM66100-Q1 具有集成 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管数据手册-电子发烧友网

LM66100-Q1 是一款单输入、单输出（SISO）集成理想二极管，非常适合各种应用。该器件包含一个 P 沟道 MOSFET，可在 1.5 V 至 5.5 V 的输入电压范围内工作，并支持 1.5 A 的最大连续电流。

芯片使能的工作原理是将 CE 引脚电压与输入电压进行比较。当 CE 引脚电压高于 VIN 时，器件禁用，MOSFET 关闭。当 CE 引脚电压较低时，MOSFET 导通。LM66100-Q1 还带有反极性保护（RPP），可以保护器件免受误接线输入（如电池反接）的影响。
*附件：lm66100-q1.pdf

两个 LM66100-Q1 器件可用于类似于双二极管 ORing 实现的 ORing 配置。在这种配置中，器件将最高输入电压传递到输出，同时阻止反向电流流入输入电源。这些器件可以比较输入和输出电压，以确保反向电流通过内部电压比较器被阻止。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装，其特点是在 –40°C 至 150°C 的结温范围内工作。

特性

符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用：
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
宽工作电压范围：1.5 V–5.5 V
VIN 上的反向电压隔离：-6V 绝对最大值
最大连续电流（I ~~麦克斯~~ ）： 1.5 安培
导通电阻（R 上 ):
- 5V V 电压在 = 79 mΩ（典型值）
- 3.6V 电压在 = 91 mΩ（典型值）
- 1.8V 电压在 = 141 mΩ（典型值）
比较器芯片使能（CE)
通道状态指示（ST）
低电流消耗：
- 3.6V 电压在关断电流（I ~~SD，VIN~~ ）：120 nA（典型值）
- 3.6V 电压在静态电流（I ~~Q、VIN~~ ）：150 nA（典型值）

参数

方框图

概述

LM66100-Q1是一款专为汽车应用设计的单输入单输出（SISO）集成理想二极管，具有输入极性保护功能。该设备包含一个P沟道MOSFET，可在1.5V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持最大1.5A的连续电流。LM66100-Q1通过了AEC-Q100认证，适用于车载信息娱乐系统、ADAS环视系统ECU、车身控制模块和网关等多种应用。

主要特性

?AEC-Q100认证?：适用于汽车应用，环境工作温度范围为-40°C至125°C。
?宽工作电压范围?：1.5V至5.5V。
?反向电压承受能力?：VIN端绝对最大值为-6V。
?低电流消耗?：
- 3.6V VIN时的关断电流（ISD,VIN）：120nA（典型值）
- 3.6V VIN时的静态电流（IQ,VIN）：150nA（典型值）
?最大连续电流?：1.5A
?低导通电阻?：5V VIN时典型值为79mΩ
?芯片使能（CE）功能?：通过比较CE引脚电压和输入电压来控制MOSFET的开关状态。
? 通道状态指示（ST） ?：当芯片禁用时，ST引脚输出低电平。