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      HMC1063 GaAs MMIC I/Q混频器技术手册

      要长高 ? 2025-04-01 11:25 ? 次阅读
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      概述
      HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊，可以使用表贴制造技术。
      数据表：*附件：HMC1063 GaAs MMIC I Q混频器技术手册.pdf

      应用

      • 点对点和点对多点无线电
      • 军用雷达、EW和ELINT
      • 卫星通信
      • 传感器

      特性

      • 低LO功率： 10 dBm
      • 宽IF带宽： DC - 3 GHz
      • 镜像抑制： 21 dBc
      • LO/RF隔离： 40 dB
      • 高输入IP3： 17 dBm
      • 16引脚3x3 mm SMT封装： 9 mm?

      框图
      image.png
      引脚描述
      image.png

      电气规格
      image.png

      评估PCB
      image.png

      声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
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