HMC349AMS8G高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关，100MHz至4GHz技术手册

概述

HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。

HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。

HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。
数据表：*附件：HMC349AMS8G高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关，100MHz至4GHz技术手册.pdf

应用

• 蜂窝/4G基础设施
• 无线基础设施
• 移动无线电
• 测试设备
  特性
• 非反射式50 ?设计
• 高隔离度：57 dB至2 GHz
• 低插入损耗：0.9 dB至2 GHz
• 高输入线性度
  • 1 dB功率压缩(P1dB)：34 dBm（典型值）
  • 三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）
• 高功率处理
  • 33.5 dBm（通过路径）
  • 26.5 dBm端接路径 单正电源：3 V至5 V
• CMOS/TTL兼容控制
• 全部关断状态控制
• 带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)

框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

HMC349AMS8G使用4层评估板。每层铜的厚度为0.5盎司(0.7密耳)。顶部电介质材料为10密耳Rogers RO4350，可提供良好的高频性能，而中间和底部电介质材料为FR-4型材料，以实现62密耳的整体板厚。所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上，而内层和底层是接地层，为RF传输线提供坚实的接地。RF传输线采用共面波导(CPWG)模型设计，宽度为16密耳，接地间距为13密耳，特性阻抗为50欧姆。为了实现良好的RF和热接地，尽可能多的镀通孔应布置在传输线周围和封装裸露焊盘下方。

图18显示了ADI公司的18 shows the评估板的俯视图(请参考订购指南)。封装接地引脚直接连接到接地层，接地层连接到GND测试点(TP1和TP5)。一个电源端口连接到标有VDD (TP2)的直流测试点。一个未使用的旁路电容位置可用于滤除电源走线上的高频噪声。两个控制端口连接到CTRL和EN测试点(TP3和TP4)。射频端口连接到RFC、RF1和RF2连接器(J1、JBOY3乐队和J2 ),它们是PC安装的SMA射频连接器。此外，100 pF隔直电容(C1、C2、C3)用于射频传输线上。连接未安装的射频连接器(J4和J5)的直通传输线也可用于测量和消除PCB的损耗。