概述
ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用硅工艺制造。
ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz,具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号,该器件具有39 dBm(连续波信号)、39 dBm(平均值)和49 dBm(峰值)的RF输入功率处理能力。
ADRF5345集成负电压发生器(NVG),可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电,同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为?40°C至+105°C。
数据表:*附件:ADRF5345高线性度硅SP4T开关,1.8 GHz至3.8 GHz技术手册.pdf
应用
- 5G天线倾斜
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- 引脚二极管替代器件
特性 - 反射式设计
- 低插入损耗
- 0.35 dB 至 2.8 GHz(典型值)
- 0.40 dB 至 3.8 GHz(典型值)
- T
CASE= 105°C 时具有高功率处理能力 - 长期(>10 年)平均值
- 连续波功率:39 dBm
- 长期演进信号
- 平均功率:39 dBm
- 峰值功率:49 dBm
- 高输入线性度,IP3:84 dBm(典型值)
- ESD 额定值
- HBM:2000 伏,2 级
- CDM:1000 V,C3 级
- 单电源运行,集成 NVG
- 正控制,兼容 LVCMOS-/LVTTL
- 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装
框图
引脚配置和功能描述
接口示意图
将ADRF5345的RF端口连接到特性阻抗为50ω的传输线路,封装接地引脚和背面接地片必须直接连接到接地层。ADRF5345有一个电源引脚(VDD)和三个控制引脚(V1、V2和LS)。电源引脚必须用100 pF和4.7 uF电容去耦,而控制引脚必须用100 pF电容去耦。
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开关
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