DS1251 4096k NV SRAM，带有隐含时钟技术手册

概述
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。

隐含时钟提供百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月、年等时间信息。对少于31天的月份，月终日期可自动调节，包括对闰年的修正。隐含时钟格式可配置为24小时制或配合AM/PM指示的12小时制。
数据表：*附件：DS1251 4096k NV SRAM，带有隐含时钟技术手册.pdf
特性

• 实时时钟保持跟踪百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月和年
• 512k x 8 NV SRAM可直接替代易失静态RAM或EEPROM
• 内置锂电池维持日历运行及保存RAM数据
• 时钟功能对RAM操作完全透明
• 月和年决定每个月的天数，有效期至2100年
• 无外部电源时可保存数据10年以上
• 10%工作范围
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• 提供DIP模块
  • 标准32引脚JEDEC引脚排列
  • 与DS1248引脚兼容
• PowerCap模板
  • 表面贴装可直接与带有电池和晶振的PowerCap连接
  • 电池可更换(PowerCap)
  • 与其它存储容量的DS124xP隐含时钟引脚兼容
• 提供无引线封装

引脚配置

包装
DS1251有两种封装：32针DIP和34针PowerCap模块。32针DIP式模块将晶体、锂能源和硅集成在一个封装中。34针PowerCap模块板设计有触点，用于连接到包含晶体和电池的单独PowerCap（DS9034PCX）。这种设计允许在表面安装过程完成后将PowerCap安装在DS1251P的顶部。在表面安装过程后安装PowerCap可以防止因回流焊所需的高温而损坏晶体和电池。PowerCap采用键控设计，可防止反向插入。PowerCap模块板和PowerCap单独订购，并装在单独的容器中运输。
幻影时钟操作
与幻影时钟的通信是通过对64位串行比特流进行模式识别来建立的，必须通过执行包含DQ0上正确数据的64个连续写入周期来匹配。在识别64位模式之前发生的所有访间都指向内存。在识别建立后，接下来的64个读取或写入周期提取或更新幻影时钟中的数据，并禁止存储器访间。
在芯片启用、输出启用和写入启用的控制下，通过串行比特流实现与计时功能的数据传输。最初，使用幻影时钟的CE和OE控制对任何存储位置的读取循环通过将指针移动到64位比较寄存器的第一位来启动模式识别序列。接下来，使用SmartWatch的cE和wE控制执行64个连续的写入周期。这64个写入周期仅用于访间幻影时钟。因此，套接字中内存的任何地址都是可以接受的。然而，为访间幻影时钟而生成的写入周期也在将数据写入配套RAM中的一个位置。管理这一要求的首选方法是在RAM中只留出一个地址位置作为幻影时钟暂存区。当执行第一写入周期时，将其与64位比较寄存器的位0进行比较。如果找到匹配，指针将递增到比较寄存器的下一个位置，并等待下一个写入周期。如果未找到匹配项，指针将不会前进，所有后续写入周期都将被忽略。如果在模式识别过程中的任何时候发生读取循环，则当前序列将中止，比较寄存器指针将重置。如上所述，模式识别持续了总共64个写入周期，直到比较寄存器中的所有位都匹配为止（图1)。正确匹配64位后，幻影时钟启用，数据传输到或