LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用中的 75W 有源钳位反激式 (ACF) 转换器<。该LMG2610通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器,简化了设计,减少了元件数量,并减少了电路板空间。
不对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优化。可编程导通转换速率提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻器相比,低侧电流检测仿真降低了功率耗散,并允许将低侧导热垫连接到冷却 PCB 电源接地。
*附件:LMG2610 用于有源钳位反激式转换器的集成 650V GaN 半桥数据表.pdf
高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中发现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降,避免了对高侧电源的过度充电,并且反向恢复电荷为零。
该 LMG2610 支持转换器轻载效率要求和突发模式作,具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过温关断。
特性
- 650V GaN 功率 FET 半桥
- 170mΩ 低侧和 248mΩ 高侧 GaN FET
- 具有低传播延迟和可调导通转换速率控制的集成栅极驱动器
- 具有高带宽和高精度的电流感应仿真
- 低侧/高侧栅极驱动联锁
- 高侧栅极驱动信号电平转换器
- 智能开关自举二极管功能
- 高侧启动 : < 8 us
- 低侧/高侧逐周期过流保护
- 带 FLT 引脚报告的过温保护
- AUX 空闲静态电流:240 μA
- AUX 待机静态电流:50 μA
- BST 空闲静态电流:60 μA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压:26 V
- 9x7 mm QFN 封装,带双导热垫
参数
方框图
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