LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于 开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF) 转换器。LMG2610 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中 集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧 栅极驱动电平转换器,简化了设计、减少了元件数量并 减小了布板空间。
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*附件:LMG2610 用于有源钳位反激式转换器的集成 650V GaN 半桥.pdf
非对称 GaN FET 电阻针对 ACF 工作条件进行了优 化。可编程导通压摆率可提供 EMI 和振铃控制。与传 统的电流检测电阻相比,低侧电流检测仿真可降低功 耗,并允许将低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源接 地。
高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出 现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自 举 FET 没有二极管正向压降,可避免高侧电源过充, 并且反向恢复电荷为零。
LMG2610 具有低静态电流和快速启动时间,支持转换 器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和 过热关断。
LMG2610 的特性介绍:
650V GaN 功率 FET 半桥
170m? 低侧和 248m? 高侧 GaN FET
具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
具有高带宽和高精度的电流检测仿真
低侧/高侧栅极驱动互锁
高侧栅极驱动信号电平转换器
智能开关自举二极管功能
高侧启动:< 8us
低侧/高侧逐周期过流保护
通过 FLT 引脚报告实现过热保护
AUX 空闲静态电流:240?A
AUX 待机静态电流:50?A
BST 空闲静态电流:60?A
最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
具有双散热焊盘的 9mm x 7mm QFN 封装
方框图:
基本参数:
应用领域:
? 有源钳位反激式电源转换器
? 交流/直流适配器和充电器
? 交流/直流 USB 墙壁插座电源
? 交流/直流辅助电源
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技术资料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥,具有集成驱动器、保护和电流感应功能

650V 50m?具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3522R050数据表

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