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技术文档#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应

科技绿洲 ? 2025-02-24 09:18 ? 次阅读
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LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3624通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。

编程导通转换速率提供 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻器相比,电流检测仿真降低了功耗,并允许将低侧导热垫连接到冷却 PCB 电源接地。
*附件:LMG3624 650V 170 mΩ GaN FET,带集成驱动器和电流感应仿真数据表.pdf

该LMG3624支持转换器轻负载效率要求和突发模式作,具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。漏极开路 FLT 引脚报告过热保护。

特性

  • 650V 170mΩ GaN 功率 FET
  • 集成栅极驱动器,具有低传播延迟和可调节的导通转换速率控制
  • 具有高带宽和高精度的电流感应仿真
  • 逐周期过流保护
  • 具有 FLT 引脚报告的过热保护
  • AUX 静态电流:240μA
  • AUX 待机静态电流:50μA
  • 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
  • 带导热垫的 8mm × 5.3mm QFN 封装

参数

image.png

方框图

image.png

应用
?AC/DC适配器和充电器
?AC/DC USB壁式插座电源
?AC/DC辅助电源
?电视电源
?移动壁式充电器设计
?USB壁式电源插座
?辅助电源
?电视SMPS电源
?LED电源
*附件:低功耗GaN在常见ACDC电源拓扑中的优势.pdf

*附件:利用TI GaN集成电流传感实现系统效率最大化.pdf

*附件:LMG362x系列低功耗GaN FET的设计.pdf

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