Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级数据手册
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在8mm x 5.3mm QFN封装中，从而简化了设计并减少了元件数量。可编程导通压摆率提供电磁干扰和振铃控制。与传统的电流检测电阻器相比，电流检测仿真降低了功率损耗，并允许低侧散热垫连接到冷的PCB电源地。
数据手册：*附件：Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级数据手册.pdf
Texas Instruments LMG3624支持突发模式运行，具有低静态电流、转换器轻载效率要求和快速启动时间。保护功能包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过开漏FLT引脚报告。
特性
- 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET)
- 集成栅极驱动器，具有低传播延迟和可调开启压摆率控制功能
- 高带宽、高精度的电流感应仿真
- 逐周期过流保护
- 通过FLT引脚报告实现过热保护
- AUX静态电流：240?A
- AUX待机静态电流：50?A
- 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
- 8mm × 5.3mm QFN封装，带隔热垫
应用
功能框图
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