LMG2652 650V、140mΩ GaN半桥，集成驱动器、保护和电流感应概述

LMG2652 是一个 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半桥。该LMG2652通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，简化了设计，减少了元件数量，并减少了电路板空间。

与传统的电流检测电阻器相比，低侧电流检测仿真降低了功率耗散，并允许将低侧导热垫连接到冷却 PCB 电源接地。
*附件：LMG2652 650V、140mΩ GaN半桥，集成驱动器、保护和电流感应.pdf

高侧 GaN 功率 FET 可通过低侧参考栅极驱动引脚 （INH） 或高侧参考栅极驱动引脚 （GDH） 进行控制。在具有挑战性的电源开关环境中，高侧栅极驱动信号电平转换器将 INH 引脚信号可靠地传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，避免了对高侧电源的过度充电，并且反向恢复电荷为零。

该 LMG2652 支持转换器轻载效率要求和突发模式作，具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括 FET 导通互锁、欠压锁定 （UVLO）、逐周期电流限制和过温关断。

特性：

• 650V GaN 功率 FET 半桥
• 140mΩ 低侧和高侧 GaN FET
• 集成栅极驱动器，具有 <100ns 的低传播延迟
• 具有高带宽和高精度的电流感应仿真
• 低侧参考 （INH） 和高侧参考 （GDH） 高侧栅极驱动引脚
• 低侧 （INL） / 高侧 （INH） 栅极驱动联锁
• 高侧 （INH） 栅极驱动信号电平转换器
• 智能开关自举二极管功能
• 高侧启动 （Highside Startup）：<8μs
• 低侧/高侧逐周期过流保护
• 过热保护
• AUX 空闲静态电流：250μA
• AUX 待机静态电流：50μA
• BST 空闲静态电流：70μA
• 8mm × 6mm QFN 封装，带双导热垫

参数：

方框图：

应用
?AC/DC适配器和充电器
?AC/DC USB壁式插座电源
?AC/DC辅助电源
?移动壁式充电器设计
?USB壁式电源插座
*附件：LMG2652半桥子卡评估模块.pdf