DDR5 MRDIMM内存标准将发，存储厂商方案先行

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）最近，JEDEC固态技术协会宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技术标准即将推出。在标准正式发布之前，SK海力士、三星、美光等厂商已经着手DDR5 MRDIMM产品的研发，并发布了相关产品方案。DDR5 MRDIMM将为下一代高性能计算、AI应用提供动力。

JEDEC固态技术协会提到，DDR5多路复用双列直插式内存模块（Multiplexed Rank DIMM），提供创新、高效的新模块设计，可提高数据传输速率和整体系统性能。多路复用允许在单个通道上组合和传输多个数据信号，无需额外的物理连接即可有效增加带宽，并提供无缝带宽升级，使应用能够超过 DDR5 RDIMM 数据速率。另外，JEDEC预计MRDIMM的速度将从8800MT/s开始，到该技术的第三代将扩展到 17,600 MT/S。

在MRDIMM之前，AMD和英特尔都提出了相关的内存方案。AMD提出HBDIMM方案、英特尔提出MCR-DIMM，后来JEDEC与AMD合作将HBDIMM开发成MRDIMM 的标准。 早在两年前，SK海力士与英特尔、瑞萨电子的合作成功开发出MCR DIMM。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。

MCR DIMM是一种模块产品，将多个DRAM组合在一块主板上，能够同时运行两个内存列。内存列(RANK)是从DRAM模块向CPU传输数据的基本单位。一个内存列通常可向CPU传送64字节(Byte)的数据。而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。每次传输到CPU的数据量的增加使得数据传输速度提高到8Gbps以上，是单个DRAM的两倍。

要做到传输128个字节的数据，SK海力士以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器(data buffer)同时运行两个内存列。缓冲器(Buffer)安装在内存模块上的组件，用于优化DRAM与CPU之间的信号传输性能。

这个模组的成功设计离不开SK海力士的DRAM模块设计能力、英特尔的Xeon处理器，以及瑞萨电子的缓冲器技术。因此是三家厂商合作的成果。

最新消息，SK海力士将2024年下半年推出适用于服务器的32Gb DDR5 DRAM和用于高性能计算的MCRDIMM产品。

今年6月，三星宣布开发了MRDIMM，无需增加服务器主板上的内存插槽即可提供更多内存和带宽。该模块通过组合两个DDR5 组件，使现有DRAM组件的带宽翻倍，提供高达 8.8 Gb/s 的数据传输速度。预计 MRDIMM 将积极用于需要高性能计算 (HPC) 来处理数据并高速执行复杂计算的 AI 应用。

美光科技近日也宣布已出样MRDIMM，将于2024 年下半年批量出货。 与RDIMM 相比，MRDIMM有效内存带宽提升高达39%，总线效率提升超过15%（注：这两个数据基于英特尔 Memory Latency Checker（MLC）工具，对 128GB MRDIMM 8800MT/s 与 128GB RDIMM 6400MT/s 进行经验数据对比测试），延迟降低高达40%（注：这个数据基于经验得出 Stream Triad 数据，对 128GB MRDIMM 8800MT/s 与 128GB RDIMM 6400MT/s 进行对比）。美光表示，后续几代 MRDIMM 产品将继续提供比同代 RDIMM高45%的单通道内存带宽。

MRDIMM支持容量从32GB 到256GB，涵盖标准型和高型外形规格（TFF），适用于高性能的 1U和2U服务器。得益于 TFF 模块优化的散热设计，在同等功耗和气流条件下，DRAM 温度可降低高达 20 摄氏度。 在256GB TFF MRDIMM上采用 32Gb DRAM芯片，实现了与采用16Gb芯片的128GB TFF MRDIMM 相同的功耗表现。在最大数据传输速率下，256GB TFF MRDIMM 的性能比相同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。与 TSV RDIMM 相比，使用 256GB TFF MRDIMM，数据中心可以获得前所未有的总体拥有成本（TCO）优势。

作为美光MRDIMM 系列的首代，目前仅兼容英特尔至强6处理器。英特尔副总裁兼数据中心至强6产品管理总经理 Matt Langman 表示，借助 DDR5 接口和技术，MRDIMM 实现了与现有英特尔至强6 处理器平台的无缝兼容，为客户带来了更高的灵活性和更多选择。