消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻设备
SK 海力士正在与东京电子（TEL）展开紧密合作，通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前，增加堆叠层数已经成为提高3D NAND闪存颗粒容量的主要方法。
不过，随着层数的增加，面临的挑战也愈发严峻。闪存颗粒内部需要蚀刻出垂直通道以确保数据传输的流畅，但在层数增高的过程中，深宽比的增大使得蚀刻的难度加大，且蚀刻速度也逐渐减慢。这种现象对生产效率产生了显著影响。
SK 海力士和东京电子的这次合作，旨在通过测试TEL的低温蚀刻设备，找到一种更为高效、精确的蚀刻方法，以应对未来NAND闪存生产中的挑战，进一步提升产品的性能和生产效率。
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