SK海力士寻求东电低温蚀刻设备，或降低NAND闪存堆栈层数
韩国媒体The Elec于本周五透露，SK海力士向东京电子寄送了晶圆样品，旨在检验其低温蚀刻技术，这可能引领未来NAND闪存制造的变革。
当前，3D NAND闪存在通过提高堆栈层数来增加容量上取得显著进展。然而，在这种趋势下，闪存颗粒中的垂直通道蚀刻变得愈发困难且速率减缓。
为了解决这个问题，制造商们开始尝试将整个NAND闪存分为多个堆栈制造，然后再将这些堆栈整合为一个整体。然而，这种方法带来了新的挑战，如对齐问题和性能、能效的下降。
值得注意的是，东京电子的新型低温蚀刻设备的工作温度为-70℃，远低于现有的0~30℃范围。根据IT之家去年的报道，这款设备可以在短短33分钟内完成10微米的蚀刻，效率超过现有设备的3倍。此外，该设备还采用了更环保的氟化氢（HF）气体，相比传统的氟碳化物气体，其温室效应更小。
SK海力士已宣布推出最新的321层NAND闪存，采用了三堆栈结构。业界预测，若东京电子的低温蚀刻设备表现出色，未来400+层闪存产品的堆栈数量有望降至2甚至1。
与此同时，SK海力士的主要竞争对手三星电子也正在试用该设备的演示版，以评估低温蚀刻的效果。
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