三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM，带宽高达1280GB/s，容量达36G

今日，三星电子宣布推出了业内最大容量的HBMDRAM——HBM3E 12H，该系列产品首次采用了12层堆叠技术。

HBM3E 12H的全天候带宽可达惊人的1280GB/s，并且拥有高达36GB的容量。相较于原有的8层堆叠HBM3 8H，此次升级的HBM3E 12HT不仅在带宽上提升了近50%，而且在容量方面也有了显著增长。

“随着AI行业对大容量HBM的需求日益增大，我们的新产品HBM3E 12H应运而生，”三星电子内存规划部门Yongcheol Bae解释道，“这个存储方案是我们在人人工智能时代所推崇的HBM核心技术、以及创新堆叠技术的成果展示。”

据悉，HBM3E 12H运用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层与8层堆叠产品能够保持相同的高度，适应现行的HBM封装标准。该技术在更高层次的堆叠中优势明显，可以有效地防止芯片弯曲现象，三星一直致力于减薄非导电薄膜（NCF）材料厚度，并成功缩小芯片间的间距至7微米（?m），同时消除了层与层之间的空隙，从而大幅提升了HBM3E 12H产品的垂直密度。

此外，三星的热压非导电薄膜（TC NCF）技术还优化了HBM的热量管理功能，通过在芯片之间使用不同尺寸的凸点（bump）提高效率。这种技术在芯片键合（chip bonding）过程中的互补效应尤为突出，能够有效提升产品良率。

据三星电子称，与HBM3 8H相比，HBM3E 12H在大数据处理上将带来34%的效率提升，同时客户规模也能因性能增强提升超过11.5倍。

据报道，三星已经开始为客户提供HBM3E 12H样品，预计在下半年全面投入大规模生产。