ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。

二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的要差，因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题，ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。

“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品，也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计，实现了业界超快的trr(15ns)，与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比，trr单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约26%，因此，有助于降低应用产品的功耗。另外，通过采用沟槽MOS结构，与以往采用平面结构的SBD相比，正向施加时的损耗VF* 2和反向施加时的损耗IR* 3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗，还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*4。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

新产品从2023年12月起全部投入量产，样品可通过Ameya360等平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强别具特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。

<关于SBD的沟槽MOS结构>

沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽(沟槽MOS)并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时VF更低。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而实现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构，与以往产品相比，VF改善了约7%，IR改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容(元器件中的电阻分量)较大，因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR，而且还利用ROHM自有的结构设计，实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%，因此非常有助于降低应用产品的功耗。

<应用示例>

?汽车LED前照灯 ?xEV用DC-DC转换器 ?工业设备电源 ?照明

<产品阵容表>

<支持页面和资源信息>

ROHM的官网提供可以了解新产品电路优势的应用指南，以及介绍包括新产品在内的各SBD系列产品特点的白皮书。在SBD产品页面中，可以通过输入耐压条件等参数来缩小产品范围，有助于设计时顺利选择产品。文章原文请查看：http://www.ameya360.com/hangye/111258.html

<术语解说>

*1) 反向恢复时间：trr(Reverse Recovery Time)

开关二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。

*2) 正向电压：VF(Forward Voltage)

当电流沿从+到-的方向流动时产生的电压降。该值越低，效率越高。

*3) 反向电流：IR(Reverse Current)

反向施加电压时产生的反向电流。该值越低，功耗(反向功耗)越小。

*4) 热失控

当向二极管施加反向电压时，内部的芯片发热量超过了封装的散热量，导致IR值增加，最终造成损坏的现

象称为“热失控”。IR值高的SBD尤其容易发生热失控，因此在设计电路时需要格外注意。


审核编辑 黄宇