罗姆发布高效能100V功率MOSFET，助力AI服务器电源管理升级

近日，罗姆半导体集团(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，专为AI服务器的48V电源热插拔电路设计。旨在提升数据中心的效率和可靠性，满足日益增长的人工智能计算需求。

根据罗姆的介绍，新产品现在已在月产100万个的规模上投入量产。这一产品的前道工序生产基地位于日本滋贺工厂，后道工序则是在泰国的OSAT(封装和测试服务)设施进行。这种全球化的生产布局不仅有效提升了产品的生产效率，还确保了产品质量的一致性。

新产品采用了8×8mm的封装设计，相比传统产品具有更为优越的性能。其最大的亮点在于具备业界超宽的安全工作区(SOA)范围和超低的导通电阻，这使得它在高负载应用中表现出色。具体而言，在脉宽为10毫秒时，RY7P250BM的SOA能够达到16A，而在1毫秒脉宽下则可达50A。这些参数标志着其在功率密度和热管理方面的优势，能够有效降低数据中心的功率损耗，从而减轻冷却负荷。

对于AI服务器而言，功率效率至关重要。随着AI运算能力的不断提升，服务器在处理大量数据时所需的能源消耗也在增加。罗姆的新MOSFET通过其出色的电流承载能力和低功耗特性，有助于长期保持系统的稳定性和可靠性，为数据中心运营提供了有力保障。

AI服务器通常需要在极短的时间内处理大量数据，这对电源管理系统提出了更高的要求。RY7P250BM的推出，正好为这些高性能计算平台提供了创新的解决方案。它的应用场景不仅限于AI服务器，还可以广泛应用于各种高负载电源管理、电动汽车充电桩及其他需要高效率功率转换的设备。

随着人工智能和机器学习技术的迅速发展，数据中心的设计和管理面临着新的挑战。高效的电源管理解决方案将成为行业竞争的重要因素。罗姆半导体集团通过推出RY7P250BM，向业界展示了其在先进功率管理技术领域的持续创新能力。该产品的发布无疑将为推动数据中心的节能和高效运作提供新的动力。

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