罗姆MOSFET系列产品的优势和特点

高效能与低功耗已成为产品设计的核心需求，罗姆凭借其创新的技术和卓越的产品性能，为各行各业不断提供可靠的解决方案。本文将重点介绍罗姆的MOSFET系列产品，带您了解其技术优势和应用场景，更多信息您可点击文内相关链接查看。

罗姆MOSFET具有低导通电阻、高速开关的特点，其产品线覆盖小信号器件至800V高耐压规格，广泛适用于电源、电机等多元化应用场景。同时，MOSFET是汽车电动化的必需品，罗姆的车载MOSFET是符合车载可靠性标准AEC-Q101的高可靠性产品，并且封装阵容丰富，可灵活满足各种车载系统的需求。

车载MOSFET

该系列提供可用于各种应用的可高速开关的低导通电阻产品。而且封装产品阵容丰富，可以适应小型化、大电流化的趋势，灵活满足客户的要求。还将通过开发新工艺结构，进一步降低导通电阻、提高开关速度。

产品推荐

车载Nch MOSFET

产品特点

车载Nch MOSFET“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”的耐压分别为40V、60V和100V，均通过采用split gate实现了低导通电阻，有助于车载应用的高效运行。所有型号的产品均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，并确保高可靠性。

封装有适用于不同应用的3种形式。小型封装DFN2020Y7LSAA（2.0mm×2.0mm）和HSMT8AG（3.3mm×3.3mm）非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）等安装面积较小的应用。另外还有已被广泛用于车载电源等应用的TO-252（DPAK）封装（6.6mm×10.0mm）。DFN2020Y7LSAA封装的引脚采用的是可润湿侧翼（Wettable Flank）成型技术，TO-252封装的引脚采用的是鸥翼型结构，安装可靠性都非常高。

产品阵容

190-800V功率MOSFET

罗姆额定电压为600-800V的功率MOSFET产品，采用先进的超级结技术，兼具高速开关与低导通电阻的卓越性能，能降低应用过程中的能耗损失。该系列精心打造了低噪声规格和高速开关规格两类产品，可依据客户的具体需求精准推荐。

在电源应用领域，如PC、服务器、充电器及照明等设备的PFC电路，低噪声规格和高速开关规格产品都是理想之选。专为电机及逆变器节能化量身定制的PrestoMOS系列产品，内置运用罗姆专利技术制成的快速二极管。此系列适配空调、冰箱、洗衣机等家电，以及太阳能发电等领域所使用的电机及逆变器电路，同时也适用于图腾柱型PFC电路和LLC电路，能有效提升能源利用效率。对于LED照明和工业用途，罗姆特别推荐使用800V规格的产品，以满足其对高电压和高性能的严苛要求。

产品推荐

采用SOT-223-3小型封装的

600V耐压Super Junction MOSFET

产品特点

1. 与以往TO-252封装（6.60mm × 10.00mm × 2.30mm）的产品相比，该产品的面积减少约31%，厚度减少约27%，有助于实现更小、更薄的应用产品。另外，该产品还支持TO-252封装电路板上的布线图案（焊盘图案），因此也可以直接使用现有的电路板。

2. 五款产品分别适用于小型电源和电机应用，各有不同的特点。

适用于小型电源的有3款型号，“R6004END4”具有低噪声的特点，适用于需要采取降噪措施的应用；“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速开关的特点，适用于需要低损耗且高效率工作的应用；“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技术加快了反向恢复时间（trr）并大大降低了开关损耗，属于“PrestoMOS”产品，非常适用于电机应用。

产品阵容

12-150V MOSFET

该系列涵盖N通道、P通道MOSFET以及Dual MOSFET。这些产品均具备低导通电阻与高开关速度的卓越特性，能有效提升系统效率与响应速度。从小信号处理所需的 MOSFET，到满足大功率需求的功率MOSFET，该系列构建起了完备的产品矩阵，可广泛适用于各类应用场景。另外罗姆还为各位工程师提供产品选型手册及网页，您可点击查看。

- PchMOS专用选型指南

- 电机用新产品规格书数据下载页面

产品推荐

100V耐压双MOSFET

产品特点

1. 采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron） （Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。

2. 通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。

产品阵容

Nch MOSFET RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列

产品特点

1. 该产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron），相比以往产品，导通电阻降低了50%。

2. 通过改进栅极结构，Qgd（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。

产品阵容

罗姆的MOSFET系列产品凭借其显著的技术特性、丰富多元的产品阵容以及在车载领域稳定可靠的表现，为电子行业提供了广泛且适配性强的解决方案。