0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

埃米级芯片:拓展摩尔定律 打破性能瓶颈

新思科技 ? 来源:新思科技 ? 2023-12-13 17:38 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

埃米是一种非常小的度量单位,相当于一米的百亿分之一。它通常用于表示原子和分子的尺寸。在半导体行业中,埃米也用于表示IC器件的尺寸。2021年,英特尔率先制定了一个具有开创性的埃米级制程路线图,并计划于2024年投入生产(点击阅读原文查看)。此外,独立纳米和数字技术研究中心IMEC也提出了一个芯片微缩路线图,预测到2036年,半导体行业将能够发展到2埃米级别。

要实现埃米级芯片设计,需要整个半导体生态系统的协作和创新。从光刻领域的创新,到新型晶体管结构的创新(如GAA和CFET),再到Multi-Die系统的发展,这些领域的创新技术将引领下一代埃米级芯片设计。

在埃米时代,纳米已经不再小了。埃米时代的世界是什么样的?电子行业又如何才能充分发挥埃米制程的潜力?

埃米级芯片,拓展摩尔定律,打破性能瓶颈

摩尔定律指出,每一代的晶体管密度都能达到上一代的两倍,在纳米制程时代,摩尔定律正在趋近极限。在埃米级时代,芯片上集成的晶体管数量将多达数十亿个,器件将能够以更低的功耗提供更高的性能。芯片制程进入埃米级有望扩展摩尔定律的优势,为打破芯片性能瓶颈提供新的可能。

埃米级的设计为自然语言处理、基因组测序、工业4.0制造和科学计算等应用奠定了新的计算可能性基础。未来,以下场景都可能会实现:

生产线配备更紧凑的机器人设备,这些设备经过训练后,能够比当今的工厂自动化设备更快、更精确地完成任务

通过更快、更准确的建模能力,预测气候变化的影响、加速新疫苗研发、提供对财务投资组合和风险管理的更深层次的见解

为汽车等行业提供更高效的研发和产品设计流程

埃米级设计,消除阻碍SoC性能的瓶颈

芯片的各个层面都存在着瓶颈。以神经网络处理为例,神经网络用于深度学习算法,它可以识别原始数据中的模式和相关性,进行聚类、分类,并从中学习以实现持续改进。这些算法依赖于大量并行处理器的协同工作。一块芯片上可以放置的处理器越多,芯片运行这些海量工作负载的速度就越快。然而,为了实现支持此类应用的SoC所需的PPA,芯片开发者必须克服以下多个瓶颈:

晶体管层面,在将晶体管连接在一起的互连组件周围存在着一系列瓶颈。

处理器层面,开发者需要在以下各个方面做出权衡。比如处理器的复杂性和数量、连接它们所需的互连组件数量,以及在处理单元与系统内存之间快速移动数据的需要。

内存层面,由于片上内存的微缩速度不及标准单元迅速,二者之间会存在一定的差距。因此,随着逻辑器件变得越来越小,如果内存尺寸无法相应地缩小,能够提取的内容就会受到限制。

更大的处理器似乎更易于编程且能够执行更多任务,但开发更大的处理器虽然看起来更容易,其实会增加高效设计和制造的复杂性,还可能导致并行任务的数量减少、简单任务的功耗增加。所以采用埃米级设计才是解决之道。

埃米级制程的设计基于大量的研发实践,涵盖了整个设计链中的诸多技术,包括核心制程定义、芯片设计构建块,以及支持芯片设计的一套设计自动化工具和流程。其构成要素包括:

用于增强传统光刻微缩的新晶体管结构

用于构建数字孪生候选晶体管结构的技术,以及用于评估和选择最有前景的结构的制程定义

作为芯片设计构建块的新逻辑库和内存架构

电子设计自动化(EDA)工具中的新算法,使开发者能够实现和验证使用这些构建块设计的芯片(晶体管数量呈指数级增长)

利用先进的光刻工具,晶圆厂能够刻印更小的结构。目前正在研发的高数值孔径(High-NA)极紫外(EUV)都是预计将于2025年交付给晶圆厂的先进光刻工具。此外,GAA晶体管结构允许将多个通道堆叠在一起,从而增加芯片密度。

将埃米级架构中的供电从晶体管上方移至晶体管下方,这一工艺被称为背面供电(BSPDN)。背面供电可以充分发挥GAA结构的高密度潜力。通过将供电置于背面,开发者能够缩小逻辑单元的高度,因为在背面供电中,逻辑单元已不再需要顶部和底部的宽导线(称为电源轨)来传输电力。此外,这还节省了单元上方布线层上的大量布线资源,使得芯片的正面可用于信号路由,并防止互连引发的瓶颈。

不仅如此,GAA还可以实现FinFET结构无法实现的内存扩展,同时减少漏电流并增加驱动电流,以进一步提升芯片整体性能。CFET是GAA更为复杂的版本,它由垂直堆叠的晶体管组成,具有显著的面积和性能优势,尤其是对于存储器而言。由于CFET针对的是2.5纳米及更小制程的设计,因此有望在埃米时代发挥不可或缺的作用。

另一项与埃米级裸片相媲美的创新是Multi-Die系统,它由多个裸片(通常称为小芯片)组成,裸片之间相互堆叠和/或与中介层连接,最终集成在单个封装中。这种相互依赖的架构可通过分解的方式来构建,也就是将大的裸片划分为较小的裸片以提高系统良率并降低成本,或是将使用不同工艺技术的裸片组装到一起以提供出色的系统功能和性能。与大尺寸单片SoC相比,Multi-Die系统能够加速系统功能的扩展,并具有降低风险、缩短产品上市时间、降低系统功耗以及快速开发新产品版本等优势。

埃米级裸片可以在Multi-Die系统中发挥重要作用,支持带宽密集型应用所需的处理能力,而基于旧制程节点的裸片可用于满足负担较小的芯片功能。

半导体行业的新发展之路

随着芯片上封装的元件数量变得十分庞大,设计和验证过程变得愈发复杂,加之埃米级晶体管数量高达数十亿个之多,在驱动EDA流程的算法中集成人工智能AI)和机器学习(ML)的作用就凸显出来。人工智能和机器学习能够以比传统EDA解决方案快几个数量级的速度,寻找重复性大型任务中的模式或效率优化空间,并发现极其微小的错误,例如十亿分之一的相关错误。

此外,机器学习还使得位于实现周期前端的应用(例如综合)能够尽早了解流程后期可能发生的情况,以便开发者做出预测性决策,从而引导流程通向最佳解决方案。人工智能和机器学习的应用不仅有助于提高开发效率和设计质量,还能缩短埃米级裸片的周转时间。

除了使用AI驱动的设计和验证流程外,经验证的IP也能够降低集成风险,同时缩短先进半导体器件的上市时间。芯片生命周期管理(具有片上监控功能)等解决方案有助于跟踪芯片在整个生命周期中的健康状况和性能,触发调制电源电压等方法以延长芯片的使用寿命,并在芯片失效之前请求予以更换。

实现更优化的PPA一直是开发者们努力的方向,埃米级微缩是其中具有代表性的创新之一。通过这一技术,未来的芯片可能会以超乎想象的方式影响这个世界。







审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 处理器
    +关注

    关注

    68

    文章

    19954

    浏览量

    237497
  • 半导体
    +关注

    关注

    335

    文章

    29147

    浏览量

    242188
  • 机器人
    +关注

    关注

    213

    文章

    29939

    浏览量

    214431
  • 摩尔定律
    +关注

    关注

    4

    文章

    640

    浏览量

    80034
  • 晶体管
    +关注

    关注

    77

    文章

    10043

    浏览量

    142599

原文标题:让摩尔定律走出极限的,会是埃米级芯片吗?

文章出处:【微信号:Synopsys_CN,微信公众号:新思科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Chiplet与3D封装技术:后摩尔时代的芯片革命与屹立芯创的良率保障

    摩尔定律逐渐放缓的背景下,Chiplet(小芯片)技术和3D封装成为半导体行业突破性能与集成度瓶颈的关键路径。然而,随着芯片集成度的提高,
    的头像 发表于 07-29 14:49 ?213次阅读
    Chiplet与3D封装技术:后<b class='flag-5'>摩尔</b>时代的<b class='flag-5'>芯片</b>革命与屹立芯创的良率保障

    晶心科技:摩尔定律放缓,RISC-V在高性能计算的重要性突显

    运算还是快速高频处理计算数据,或是超级电脑,只要设计或计算系统符合三项之一即可称之为HPC。 摩尔定律走过数十年,从1970年代开始,世界领导厂商建立晶圆厂、提供制程工艺,在28nm之前取得非常大的成功。然而28nm之后摩尔定律在接近物理极限之前遇到大量的困
    的头像 发表于 07-18 11:13 ?2750次阅读
    晶心科技:<b class='flag-5'>摩尔定律</b>放缓,RISC-V在高<b class='flag-5'>性能</b>计算的重要性突显

    跨越摩尔定律,新思科技掩膜方案凭何改写3nm以下芯片游戏规则

    。 然而,随着摩尔定律逼近物理极限,传统掩模设计方法面临巨大挑战,以2nm制程为例,掩膜版上的每个图形特征尺寸仅为头发丝直径的五万分之一,任何微小误差都可能导致芯片失效。对此,新思科技(Synopsys)推出制造解决方案,尤其是
    的头像 发表于 05-16 09:36 ?4949次阅读
    跨越<b class='flag-5'>摩尔定律</b>,新思科技掩膜方案凭何改写3nm以下<b class='flag-5'>芯片</b>游戏规则

    电力电子中的“摩尔定律”(1)

    本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品,来自上海科技大学刘赜源的投稿。著名的摩尔定律中指出,集成电路每过一定时间就会性能翻倍,成本减半。那么电力电子当中是否也存在着摩尔定律呢?1965年,英特尔
    的头像 发表于 05-10 08:32 ?326次阅读
    电力电子中的“<b class='flag-5'>摩尔定律</b>”(1)

    玻璃基板在芯片封装中的应用

    自集成电路诞生以来,摩尔定律一直是其发展的核心驱动力。根据摩尔定律,集成电路单位面积上的晶体管数量每18到24个月翻一番,性能也随之提升。然而,随着晶体管尺寸的不断缩小,制造工艺的复杂度和成本急剧
    的头像 发表于 04-23 11:53 ?1099次阅读
    玻璃基板在<b class='flag-5'>芯片</b>封装中的应用

    从焊锡膏到3D堆叠:材料创新如何重塑芯片性能规则?

    摩尔定律逼近物理极限的当下,先进封装技术正成为半导体行业突破性能瓶颈的关键路径。以系统封装(SiP)、晶圆封装(WLP)、3D堆叠、C
    的头像 发表于 04-10 14:36 ?653次阅读
    从焊锡膏到3D堆叠:材料创新如何重塑<b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>性能</b>规则?

    瑞沃微先进封装:突破摩尔定律枷锁,助力半导体新飞跃

    在半导体行业的发展历程中,技术创新始终是推动行业前进的核心动力。深圳瑞沃微半导体凭借其先进封装技术,用强大的实力和创新理念,立志将半导体行业迈向新的高度。 回溯半导体行业的发展轨迹,摩尔定律无疑是一个重要的里程碑
    的头像 发表于 03-17 11:33 ?491次阅读
    瑞沃微先进封装:突破<b class='flag-5'>摩尔定律</b>枷锁,助力半导体新飞跃

    纳米压印技术:开创下一代光刻的新篇章

    光刻技术对芯片制造至关重要,但传统紫外光刻受衍射限制,摩尔定律面临挑战。为突破瓶颈,下一代光刻(NGL)技术应运而生。本文将介绍纳米压印技术(NIL)的原理、发展、应用及设备,并探讨其在半导体制造中
    的头像 发表于 02-13 10:03 ?2329次阅读
    纳米压印技术:开创下一代光刻的新篇章

    混合键合中的铜连接:或成摩尔定律救星

    混合键合3D芯片技术将拯救摩尔定律。 为了继续缩小电路尺寸,芯片制造商正在争夺每一纳米的空间。但在未来5年里,一项涉及几百乃至几千纳米的更大尺度的技术可能同样重要。 这项技术被称为“混合键合”,可以
    的头像 发表于 02-09 09:21 ?705次阅读
    混合键合中的铜连接:或成<b class='flag-5'>摩尔定律</b>救星

    石墨烯互连技术:延续摩尔定律的新希望

    半导体行业长期秉持的摩尔定律(该定律规定芯片上的晶体管密度大约每两年应翻一番)越来越难以维持。缩小晶体管及其间互连的能力正遭遇一些基本的物理限制。特别是,当铜互连按比例缩小时,其电阻率急剧上升,这会
    的头像 发表于 01-09 11:34 ?658次阅读

    摩尔定律是什么 影响了我们哪些方面

    摩尔定律是由英特尔公司创始人戈登·摩尔提出的,它揭示了集成电路上可容纳的晶体管数量大约每18-24个月增加一倍的趋势。该定律不仅推动了计算机硬件的快速发展,也对多个领域产生了深远影响。
    的头像 发表于 01-07 18:31 ?1618次阅读

    摩尔定律时代,提升集成芯片系统化能力的有效途径有哪些?

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)当前,终端市场需求呈现多元化、智能化的发展趋势,芯片制造则已经进入后摩尔定律时代,这就导致先进的工艺制程虽仍然是芯片性能提升的重要手段,但效果已经不如从前
    的头像 发表于 12-03 00:13 ?3277次阅读

    聚焦EDA AI和3D IC等创新技术,西门子EDA全面赋能系统创新

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)时至今日,摩尔定律依然在引领全球半导体产业的发展。然而,就连英特尔公司都承认,摩尔定律放缓了。在后摩尔定律时代,由于数据规模暴涨,终端应用对芯片和硬件
    的头像 发表于 09-25 00:05 ?3738次阅读
    聚焦EDA AI和3D IC等创新技术,西门子EDA全面赋能系统<b class='flag-5'>级</b>创新

    高算力AI芯片主张“超越摩尔”,Chiplet与先进封装技术迎百家争鸣时代

    越来越差。在这种情况下,超越摩尔逐渐成为打造高算力芯片的主流技术。 ? 超越摩尔是后摩尔定律时代三大技术路线之一,强调利用层堆叠和高速接口技术将处理、模拟/射频、光电、能源、传感等功能
    的头像 发表于 09-04 01:16 ?4429次阅读
    高算力AI<b class='flag-5'>芯片</b>主张“超越<b class='flag-5'>摩尔</b>”,Chiplet与先进封装技术迎百家争鸣时代