SK海力士：2030年公司HBM出货量将达到每年1亿颗
SK海力士的共同首席执行官（ceo）兼副总裁Park Jung-ho表示：“预计到2030年为止，本公司的hbm每年将出货1亿个。”
在13日的活动中，Park Jung-ho共享了sk海力士hbm的事业成果和前景。
一位合作伙伴公司的相关人士表示：“比起7年后hbm出货量将达到1亿人的数字，hbm超过竞争公司的成绩鼓舞了公司管理人员。”
Park Jung-ho在活动中鼓励合作伙伴公司的代表说：“由于设施投资减少，整体上有可能会变得更加困难，但是要克服难关。”他还强调说，SK海力士将于2027年在龙仁半导体集群工业园区内的工厂按计划生产半导体。
sk海力士在上月末举行的第三季度业绩会议上表示：“由于预测需求没有完全恢复，明年的投资将在有限的范围内进行。”主要集中对hbm3e领域进行投资，特别是正在优先讨论新一代HBM3e配备的1nm DRAM扩增和用于堆叠的硅穿透电极（TSV）相关的投资被优先考虑。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
335文章
29147浏览量
242081 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
998浏览量
39818 -
HBM
+关注
关注
2文章
416浏览量
15314
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SK海力士HBM技术的发展历史
SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面，HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM，还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位，这些成就的
英伟达供应商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推动；高带宽内存(HBM)需求持续暴涨，这带动了英伟达供应商SK海力士盈利大增158%。 据SK海力士公布的财务业绩数据
SK 海力士发布2024财年财务报告
SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告，数据显示，该公司在过去一年中取得了令人瞩目的业绩。 2
SK海力士增产HBM DRAM,应对AI芯片市场旺盛需求
SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存（HBM）的DRAM产能，目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片，这一增幅达到了70%。此举被
SK海力士被曝赢得博通 HBM 订单，预计明年 1b DRAM 产能将扩大到 16~17 万片
存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。 ? 由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，
SK海力士发布HBM3e 16hi产品
在近日举办的SK AI Summit 2024活动中，SK hynix（SK海力士）透露了一项令人瞩目的新产品计划。据悉，该公司正在积极开发
SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片
在近日举行的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出，标志着SK
SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品
近日在一次科技展览上，SK海力士惊艳亮相，展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK
英伟达向SK海力士提出提前供应HBM4芯片要求
近日，韩国SK集团会长透露了一项重要信息，即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望SK
英伟达加速推进HBM4需求,SK海力士等存储巨头竞争加剧
在财报中曾表示，计划在2025年下半年向大客户（市场普遍猜测为英伟达及AMD）提供HBM存储系统。对此，SK海力士的发言人证实了这一时间表确实比最初目标有所提前，但并未提供更多细节。
韩华精密机械向SK海力士提供HBM设备
韩华精密机械公司正式宣告，已成功向SK海力士提供了高带宽存储器（HBM）生产中的核心设备——TC键合测试设备。
针对10月16日部分媒体所报道的“韩华精密机械与
SK海力士HBM生产效率惊人,或引领存储器市场格局转变
在9月25日（当地时间）于美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的一场半导体行业盛会上，SK海力士发布的一项关于其高带宽内存（HBM）的惊人数据——“TAT 8.8:1”引起了广泛关注。
SK海力士引领未来:全球首发12层HBM3E芯片,重塑AI存储技术格局
今日，半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑，该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产，此举不仅将
SK海力士开始先进人工智能芯片生产
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK
SK海力士9月底将量产12层HBM3E高性能内存
9月4日，半导体行业传来重要动态，SK海力士社长金柱善（Kim Ju Seon）在备受瞩目的SEMICON 大师论坛上发表演讲，分享了公司在高带宽内存（HBM）领域的最新进展与未来展望
工商网监
评论