QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节
Mike Engelhardt
QSPICE发明者
?
?Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi晶体管建模、用于稳定性分析的Bode图对最小相位系统的限制、为什么要使用缓冲器以及如何设计缓冲器、防止击穿的双极基极拉电流、SCR在高温下的使用等。其中，如何在高电压下调节低功率是最引人注目的创新；这对我来说极具价值，因为我是多家仪器公司带电粒子光学方案中所用高压电源设计领域的高手。
他教我用接地基极高压晶体管进行并联调节，并通过运算放大器驱动发射极。晶体管的增益带宽将在其fT下降低3dB。用低电压输入控制高压输出需要很大的反馈分压比，这会导致开环增益降低；因此晶体管在接地基极配置中对电压增益的巨大贡献非常有用，而且对于稳定的环路来说应该不难控制。该仿真演示了这一概念：
基于人人喜爱的彩电晶体管实用电路及其大信号阶跃响应，可能看起来是这样的：
?
?使用超出其开路基极电压额定值的晶体管有些冒险，但将基极接地可以消除集电极基极漏电，使其尽可能不发生故障。正轨电压降至5V，这样基极发射极也不会发生雪崩，从而避免晶体管老化。在调整补偿值的过程中，我们很快就会发现很难改善稳定时间。
但是，如今的宽带隙FET使这种电路的设计变得微不足道：无需担心额定电压，而且补偿更容易，只需花费上述设计的一小部分时间即可实现稳定；此外，也无需负轨。
如果您连接负载的布线电容足够低，则可能需要更小JFET的更高阻抗版本，以利用其较低电容的优势。
我在40年前与Charley失去了联系（我的错），但我觉得他会非常喜欢使用宽带隙FET。
*进一步了解QSPICE，助您开启仿真方案→
?
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
Qorvo
+关注
关注
17文章
702浏览量
79135
原文标题：QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节
文章出处：【微信号：Qorvo_Inc，微信公众号：Qorvo半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
UCC28911 700V 反激式开关，具有恒压恒流和初级侧调节功能数据手册
UCC28910 和 UCC28911 是高压反激式开关，可提供 输出电压和电流调节，无需使用光耦合器。 这两个器件都集成了一个 700 V 功率 FET 和一个控制器，该控制器将 从反激式辅助绕组
双电机驱动系统消隙技术分析
加强对双电机驱动系统消隙技术的研究对于提升双电机驱动系统本身的性能具有重要意义。本文将重点探讨双电机驱动系统的消隙技术。
纯分享帖，需要者可点击附件免费获取完整资料~~~*附件：双电机驱动系统消
发表于 06-19 11:01
宽带隙WBG功率晶体管的性能测试与挑战
功率电子技术的快速发展，得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步，尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比，这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率
Qorvo电路仿真工具QSPICE：赋能工程师重塑电路设计、简化业务流程和重新定义客户互动
技术的飞速发展要求工程师们拥有更强大的工具，以便能更迅速、更智能、更精准地进行设计。作为Qorvo的新一代电路仿真工具， QSPICE正满足了这一需求，同时也改变了企业与客户互动的方式。自推出仅一年
Qorvo? 为屡获殊荣的 QSPICE? 电路仿真软件新增建模功能
工具。 这项新功能使得设计师能够利用数据表中常见的信息，为分立结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和二极管创建电路仿真模型。QSPICE 的开发者 Mike Engelhardt 表示，这一
武汉特高压：高压电力测试的领航者
武汉特高压电力科技有限公司，坐落于中国光谷，是高压电力测试领域的佼佼者。这家公司不仅集科研、开发、生产、销售、服务于一体，更以优质的产品、合理的价格和一流的信誉，在业界赢得了极高的口碑。其生
发表于 02-26 08:55
OPA2132UA/2K5 数据手册 OPAx132 高速 FET 输入运算放大器芯片
OPA132、OPA2132 和 OPA4132 (OPAx132) 系列FET 输入运算放大器提供高速特性和出色的直流性能。高压摆率和宽带宽的组合可提供快速稳定时间。单通道、双通道和四通道版本均
发表于 01-17 10:10
认证效率高达33.10%，基于宽带隙表面重构技术实现高效钙钛矿/硅串联太阳能电池
宽带隙钙钛矿太阳能电池对钙钛矿/硅叠层的发展至关重要，但宽带隙钙钛矿太阳能电池表面缺陷多，会导致严重的界面载流子损失和相分离，影响电池性能。研究通过纳米抛光去除富含缺陷的晶体表面，再钝
中国科大徐集贤团队Science：抑制相分离的三卤化物宽带隙钙钛矿可实现高效钙钛矿/硅叠层太阳能电池
宽带隙金属卤化物钙钛矿是与硅叠层结合使用的理想半导体，以实现超过30%的功率转换效率（PCE），同时降低成本。然而，宽带隙钙钛矿太阳能电池受到光诱导相分离和低开路电压的基本限制。量子效
浮思特 | 宽带隙半导体技术能否引领汽车行业的电动化革命？
种需求则由转换器的功率要求和工作频率决定。因此，提高转换器的工作频率可以减少能量存储元件的体积，这直接影响到转换器的总体积、功率密度和成本。通过使用宽带隙(WBG
宽带隙功率半导体双脉冲测试解决方案
完成，但自动化可加快流程并有助于获得准确、一致的结果。 宽带隙双脉冲测试软件集成到 5 系列 B MSO 中，可自动执行仪器设置并执行能量损耗和定时的标准测量。智能差分电压和电流探头通过与示波器通信进一步简化设置。 该系统提供以
优化多相电压调节器的高端FET电压振铃第1部分:高端FET电压振铃的机理
电子发烧友网站提供《优化多相电压调节器的高端FET电压振铃第1部分:高端FET电压振铃的机理.pdf》资料免费下载
发表于 09-25 14:28
?0次下载
工商网监
评论