电科装备8-12寸系列减薄机通过产业应用端认可
近日，电科装备旗下北京中电科电子装备有限公司8-12寸系列减薄机发货突破百台，自主开发的减薄设备通过产业应用端的认可。
减薄设备是集成电路制造不可或缺的关键装备，主要用于集成电路材料段晶圆表面加工，以及在集成电路封装前对晶圆背面基体材料进行去除，以满足晶圆精确厚度和精细表面粗糙度的要求，同时该设备还可应用于化合物半导体、特种陶瓷等其他领域。
北京中电科电子装备有限公司坚持减薄与工艺技术自立自强，成功解决了系列关键技术，相继推出了多款8-12寸系列减薄设备，最新研制的碳化硅全自动减薄设备，重要技术指标和性能对标国际先进水平。目前，8-12寸系列减薄设备形成了多领域产品谱系，填补了国内材料、芯片装备行业在超精密减薄技术领域空白。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5433文章
12194浏览量
369508 -
晶圆
+关注
关注
53文章
5222浏览量
130344 -
封装
+关注
关注
128文章
8859浏览量
146041
原文标题：突破百台！电科装备8-12寸系列减薄机通过产业应用端认可
文章出处：【微信号：第三代半导体产业，微信公众号：第三代半导体产业】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
TSV工艺中的硅晶圆减薄与铜平坦化技术
本文主要讲述TSV工艺中的硅晶圆减薄与铜平坦化。 硅晶圆减薄与铜平坦化作为 TSV 三维集成技术的核心环节，主要应用于含铜 TSV 互连的减
晶科储能检测中心获得CNAS认可资格
近日晶科储能检测中心正式通过中国合格评定国家认可委员会（CNAS）的认可评审和评定，获得CNAS认可资格（注册号：CNAS L23657）。
研磨机6-8-12寸研磨盘FNNS-510000-0 21H017CW是什么
研磨机6 - 8 - 12寸研磨盘FNNS - 510000 - 0 21H017CW是DISCO研磨机的重要配件耗材之一，以下是对其的详细
精密传感技术驱动半导体未来：明治传感器在CMP/量测/减薄机的应用
化学机械抛光设备（CMP）、量测设备与减薄机的关键工位，为芯片良率与生产效率提供底层支撑。从纳米级的精度控制，到全流程的质量守护，本文将通过15大经典应用场景，揭示明治
晶圆减薄工艺分为哪几步
“减薄”，也叫 Back Grinding（BG），是将晶圆（Wafer）背面研磨至目标厚度的工艺步骤。这个过程通常发生在芯片完成前端电路制造、被切割前（即晶圆仍然整体时），是连接芯片制造和封装之间的桥梁。
12英寸SiC，再添新玩家
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在SiC行业逐步进入8英寸时代后，业界并没有停下脚步，开始投入到12英寸衬底的开发中。 ? 去年11月，天岳先进率先出手，发布了行业首款
中软国际科创中心驱动AI产业未来发展
教融合创新平台，通过产学研深度联动培育AI人才高地，为行业智能化转型注入源头活水，近期，科创中心研学活动不断，北京景山学校通州分校师生走入中软国际科创中心进行研学活动。
简单认识晶圆减薄技术
英寸晶圆厚度约为670微米，8英寸晶圆厚度约为725微米，12英寸晶圆厚度约为775微米。尽管芯片功能层的制备仅涉及晶圆表面几微米范围，但完
减少减薄碳化硅纹路的方法
碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过程中，碳化硅片的减薄是一个重要环节，它可以提高
晶圆为什么要减薄
，满足晶圆的翘曲度的要求。但封装的时候则是薄一点更好，所以要处理到100~200um左右的厚度，就要用到减薄工艺。 ? 满足封装要求 降低封装厚度 在电子设备不断向小型化、轻薄化发展的趋势下，对集成电路芯片的厚度有严格限制。
碳化硅衬底，进化到12英寸！
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸，并正在大规模往8英寸发展，在最上游的晶体、衬底，业界已经具备大量产能，8
芯丰精密第二台12寸超精密晶圆减薄机成功交付
近日，武汉芯丰精密科技有限公司宣布，其自主研发的第二台12寸超精密晶圆减薄机已成功交付客户。这一里程碑事件标志着芯丰精密在高端晶圆
工商网监
评论