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一个传导、辐射超标整改过程案例分析

硬件笔记本 ? 来源:硬件笔记本 ? 2023-06-06 09:42 ? 次阅读
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这是一款输入宽电压120-277V 60Hz,输出48V,273mA的电源,采用Buck拓扑结构。

wKgZomR-jweAFf57AACuCCRMGGM259.jpg

注:在最初的设计中,预留电感L1、L2,CBB电容C1、C2作为传导测试元件,预留磁珠FB1、陶瓷贴片电容C9、贴片电阻R14、R15作为辐射测试元件;

传导测试:

1、短接L2,L1=4.7mH,C1=0.1uf,C2=0.1uf,120V电压输入,L线传导图像:

wKgZomR-jweAUtIJAACamXw2jIg353.jpg

277V电压输入,L线传导图像:

wKgaomR-jweAMUE5AACPCYE0ixs968.jpg

结果:输入277V,将近150K的频率读点后余量少于3db

整改办法:将C2加大到0.22uf,再次测试图像如下:

wKgaomR-jweAX2ldAACTR-4o0TE195.jpg

结果:手动读点,余量7.19db,验证N线后,无压力通过。

辐射测试:

1、在不加磁珠FB1、不加环路电容、变压器不包铜皮的情况下,辐射数据严重超标;

2、整改方案:将如下整改位置加强,即:增加磁珠FB1(100M 60ohm),环路电容C9=1nf。

结果:水平测试,余量逼近限度线;垂直测试,31MHz、41MHz、53MHz处辐射数据超标5-10db;

3、整改方案:基于第二步,将变压器使用铜皮进行外部线圈包裹,同时将C9增加至2.2nf;

结果:情况无改善;

4、整改方案:基于第三步,在MOS管Q2的D、S极并接60pf电容;

结果:情况无改善;

图像如下:

wKgZomR-jweAKn3TAAIMSOf6wrA482.jpg

5、整改方案:重点关注高频开关点(如下红色圈处),调整Layout布线设计:

wKgaomR-jweAQ6LiAAC2vXfjiSQ472.jpg

原有布线方案中,留意高频开关部分(打“X”的黑线),发现高频走线过长,环路面积太大:

wKgaomR-jweAdvYCAAE_M7ZaEi4966.jpg

重新布局、Layout后:

wKgZomR-jweAUi5cAAEyn9gQyRU195.jpg

结果:

在变压器不加铜皮、环路电容C9=2.2nf、磁珠FB1(100MHZ 60ohm)的设计参数:120V 水平、垂直测试图像

wKgaomR-jweAdpt-AADyHukDNqE706.jpg

277V 60HZ 水平、垂直测试图像:

wKgZomR-jweAcW4aAADpSAZeP14664.jpg

验证传导数据:

120V 60HZ L、N线:

wKgaomR-jweAaIOkAADmnC1IRAU742.jpg

277V 60HZ L、N线:

wKgZomR-jweARj-uAADY_8MobRI981.jpg

结果测试通过。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:案例 | 一个传导、辐射超标整改过程分析

文章出处:【微信号:gh_a6560e9c41d7,微信公众号:硬件笔记本】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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