PowiGaN InnoSwitch3-EP为工业应用保驾护航
InnoSwitch3-EP反激式开关IC产品系列提供了不同耐压水平、灵活多样的选项，工程师可根据其应用选择最佳的开关技术，从而简化设计。该系列的最新产品采用900V氮化镓(GaN)技术，可提供高达100W的功率，效率高于93%，在空间有限的应用中无需使用散热片。
PI特有的PowiGaN技术可提供实现900V耐压所需的可靠性和耐用性。同时还能提高功率和效率，使InnoSwitch3-EP IC非常适合家电、三相电机和服务器辅助电源等应用。初级MOSFET具有900V击穿电压，还可以为市电电压较高或不稳的地区提供更大的安全裕量，并且它们与725V和750V InnoSwitch3-EP器件的引脚相兼容，可让工程师在不改变设计的情况下增加输出功率，优势非常明显。
所有InnoSwitch3-EP器件均具有同步整流控制、波谷开通的非连续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)反激式控制器。FluxLink通信技术可使IC封装位于安规隔离带上，从而省去光耦器。
审核编辑：彭静
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原文标题：参考设计 | PowiGaN InnoSwitch3-EP为工业应用保驾护航
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