0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星开发出首款512GB内存扩展器

科技绿洲 ? 来源:三星半导体和显示官方 ? 作者:三星半导体和显示 ? 2022-05-10 10:16 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

今日,作为先进内存技术的厂商,三星宣布开发出三星首款512GB内存扩展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商业化迈出了重要一步,CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。

自2021年5月推出三星首款配备现场可编程门阵列(FPGA控制器的CXL DRAM原型机以来,三星一直与数据中心、企业服务器和芯片组公司密切合作,以开发更好的、可定制的CXL产品。 全新的CXL DRAM采用了专用集成电路ASIC)的CXL控制器,并首次封装了512GB的DDR5 DRAM,与之前的三星CXL产品相比,内存容量为其4倍,系统延迟仅为其五分之一。

三星电子内存全球销售和营销副总裁、CXL联盟总监Chelonian Park表示:

随着我们积极扩大CXL DRAM在包括软件定义内存(SDM, software-defined memory)在内的下一代内存架构中的应用,CXL DRAM将通过大幅推进人工智能AI)和大数据服务,成为未来计算结构的关键转折点。三星将继续与业界合作,开发和规范CXL内存解决方案,同时构建一个日益成熟的生态系统。

联想基础设施解决方案集团首席技术官Greg Huff表示:

作为CXL联盟的一员,联想致力于开发这一重要标准,并帮助构建围绕新的CXL互联的生态系统。我们很高兴成为三星CXL开发计划的一份子,努力推动CXL产品创新在未来联想系统中的发展和应用。

澜起科技(Montage Technology)战略技术副总裁Christopher Cox表示:

CXL是一项关键技术,能以更为创新的方式管理内存扩展和内存池,并将在下一代服务器平台中发挥重要作用。澜起很高兴能继续与三星合作,帮助CXL生态系统快速发展壮大。

近年来,元宇宙、人工智能和大数据的发展催生出爆炸性的数据量。然而,传统的DDR设计限制内存容量扩展出数十TB容量,需要一种类似CXL这样全新的内存接口技术。 CXL和主内存之间共享的大型内存池,其允许服务器将其内存容量扩展至数十TB,带宽同时提升至每秒数TB数量级。

512GB CXL DRAM将是三星首款支持PCIe 5.0接口的内存设备,采用EDSFF(E3.S)的尺寸规格,特别适合下一代大容量企业服务器和数据中心。 本月下旬,三星将公布其开源的可扩展内存开发工具包(SMDK)的更新版本。它是一个全面的软件包,允许CXL内存扩展器在异构内存系统中无缝工作——无需修改现有应用环境,系统开发人员就能将CXL内存纳入运行人工智能、大数据和云应用的各类IT系统中。 从今年第三季度开始,三星计划向客户和合作伙伴提供512GB CXL DRAM的样品,以进行联合评估和测试。并计划随着下一代服务器平台的推出,为该CXL DRAM产品的商业化做准备。作为CXL联盟董事会成员,三星正与诸多全球数据中心、服务器和芯片组供应商公开合作,提供下一代接口技术,为IT行业带来深切利益。
审核编辑:彭静

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 数据中心
    +关注

    关注

    16

    文章

    5287

    浏览量

    73724
  • 扩展器
    +关注

    关注

    0

    文章

    157

    浏览量

    15889
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1706

    浏览量

    32987
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    ADP5588移动I/O扩展器和QWERTY键盘控制技术手册

    ADP5588是一I/O端口扩展器和键盘矩阵,适用于需要大型键盘矩阵和扩展I/O线路的QWERTY型电话。I/O扩展器IC可以在移动平台中解决主处理
    的头像 发表于 05-22 11:37 ?372次阅读
    ADP5588移动I/O<b class='flag-5'>扩展器</b>和QWERTY键盘控制<b class='flag-5'>器</b>技术手册

    华强北TF卡回收 内存卡回收

    深圳帝欧电子求购内存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡,旧卡,拆机卡都有收,价高同行回收三星内存TF卡、金士顿TF卡、闪迪TF
    发表于 05-21 17:48

    回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组

    深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
    发表于 05-19 10:05

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
    发表于 04-18 10:52

    三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

    据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束
    的头像 发表于 01-22 15:54 ?678次阅读

    三星或于2025年推出首内向折叠手机

    据外媒报道,三星计划在2025年推出一系列创新的折叠屏手机,其中最为引人注目的是其首折叠”机型——Galaxy Z Tri-Fold。
    的头像 发表于 01-22 15:40 ?969次阅读

    科技先锋联动!三星与世嘉合力打造 microSD PRO Plus索尼克游戏存储卡

    包括 Knuckles纳克鲁斯 (128GB)、Tails 塔尔斯 (256GB)、Sonic索尼克 (512GB) 和 Shadow暗影 (1TB)四种型号及包装。
    的头像 发表于 01-13 17:56 ?444次阅读
    科技先锋联动!<b class='flag-5'>三星</b>与世嘉合力打造 microSD PRO Plus索尼克游戏存储卡

    三星或受内存芯片价格下跌影响

    近日,信荣证券分析师Park Sang-wook对三星电子的未来前景表达了担忧。他预测,由于客户库存过剩,三星电子在2025年上半年可能会面临内存芯片价格下跌的挑战。 Park指出,尽管下半年芯片
    的头像 发表于 11-27 11:22 ?837次阅读

    英伟达加速认证三星AI内存芯片

    近日,英伟达公司正在积极推进对三星AI内存芯片的认证工作。据英伟达CEO透露,他们正在不遗余力地加速这一进程,旨在尽快将三星内存解决方案融入其产品中。 此次认证工作的焦点在于
    的头像 发表于 11-25 14:34 ?735次阅读

    三星扩建半导体封装工厂,专注HBM内存生产

    近日,三星电子计划在韩国忠清南道天安市的现有封装设施基础上,再建一座半导体封装工厂,专注于HBM(High Bandwidth Memory,高带宽存储)等内存产品的生产。据悉,三星
    的头像 发表于 11-13 11:36 ?1264次阅读

    三星发出量子点墨水再生技术

    10月29日,三星显示公司宣布了一项重要技术突破:成功研发出QD-OLED显示面板所需的量子点墨水再生技术,并已自本月起投入量产线应用。这一创新技术将显著提升三星QD-OLED产品的成本竞争力。
    的头像 发表于 10-29 15:36 ?1003次阅读

    三星推出业界首24Gb(3GB)GDDR7 DRAM内存芯片

    三星推出了业内首24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM内存芯片,其超高速度可达42.5Gbps,专为下一代图形处理单元(GPU)打造。据
    的头像 发表于 10-22 15:13 ?2236次阅读

    三星发布业界首24Gb GDDR7 DRAM

    近日,存储芯片巨头三星电子宣布了一项重大突破:成功开发出业界首24Gb GDDR7 DRAM。这款新品不仅在容量上达到了业界最高水平,更在速度上实现了显著提升,成为下一代AI计算应用
    的头像 发表于 10-18 16:58 ?1215次阅读

    三星预测HBM需求至2025年翻倍增长

    三星电子近期发布预测,指出全球HBM(高带宽内存)需求正迎来爆发式增长。据三星估算,到2025年,全球HBM需求量将跃升至250亿GB,较今年预测的120亿
    的头像 发表于 09-27 14:44 ?762次阅读

    TrendForce:三星HBM3E内存通过英伟达验证,8Hi版本正式出货

    9月4日最新资讯,据TrendForce集邦咨询的最新报告透露,三星电子已成功完成其HBM3E内存产品的验证流程,并正式启动了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出货,该产品主要面向英伟达H200系列应用。同时,
    的头像 发表于 09-04 15:57 ?1298次阅读