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采用1700V SIC MOSFET反激式电源参考设计板介绍

QjeK_yflgybdt ? 来源:英飞凌工业半导体 ? 作者:英飞凌工业半导体 ? 2021-09-07 14:11 ? 次阅读
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参考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是为支持客户采用SIC MOSFET设计辅助电源而开发的。该参考板旨在支持客户为三相系统设计辅助电源,工作电压范围在200VDC至1000VDC。

该板有三个输出:+15V、-15V和+24V,输出功率高达62.5W。

该板使用TO-263 7L表面贴装器件(SMD)封装的1700V CoolSiC MOSFET作为主开关,非常适合高输入电压的直流回路,采用单端反激式拓扑结构。采用低RDS(on),可以实现高效率和低器件温度上升。

控制器在准谐振模式下工作,有助于减少EMI噪声。

主要特点

可调节的输出过电压保护

过载/开环保护

电流限制保护

过温保护的自动重启

VCC过压和欠压保护

绕组短路保护

该参考板使用德州仪器的UCC28600准谐振反激式Green-mode控制器,该控制器根据输入和负载条件以不同的工作模式运行。该转换器在轻度负载条件下,使用40kHz调制脉冲来控制,并在30%负载时过渡到FFM模式,当负载大于30%的额定功率时,它可以在准谐振模式(QRM)或不连续导通模式(DCM)运行,其最大开关频率为130kHz。

设计参数

cb818acc-0dfb-11ec-8fb8-12bb97331649.png

效率曲线

在满载62.5W,栅极电阻值为47时,峰值效率为90.56%:

责任编辑:haq

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原文标题:PCIM展台预览 | 采用1700V SIC MOSFET反激式电源参考设计板

文章出处:【微信号:yflgybdt,微信公众号:英飞凌工业半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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