离子注入工艺原理介绍

TRCX：掺杂过程分析

在 LTPS 制造过程中，使用自对准掩模通过离子注入来金属化有源层。当通过 TRCX 计算电容时，应用与实际工艺相同的原理。工程师可以根据真实的 3D 结构提取准确的电容，并分析有源层离子注入前后的电位分布，如下图所示。 (a

发表于 01-08 08:46

一文了解半导体离子注入技术

离子注入是一种将所需要的掺杂剂注入到半导体或其他材料中的一种技术手段，本文详细介绍了离子注入技术的原理、设备和优缺点。 ? 常见半导体晶圆材料是单晶硅，在元素周期表中，硅排列在第14位

发表于 01-06 10:47 ?1698次阅读

离子注入的目的及退火过程

产生的晶格损伤，并激活掺杂剂离子，从而实现预期的电学特性。 1. 离子注入的目的 离子注入是现代半导体制造中不可或缺的工艺之一。通过这一步骤，可以精确控制掺杂剂的种类、浓度和分布，以创

发表于 01-02 10:22 ?1602次阅读

一种离子注入技术:晕环技术介绍

本文介绍了一种在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）特征尺寸缩小至深亚微米级别、短沟道效应显著时采用的一种离子注入技术：晕环技术。 ? 离子注入 在半导体制造工艺中指的是

发表于 12-31 11:49 ?2043次阅读

【「大话芯片制造」阅读体验】+芯片制造过程工艺面面观

，光刻工艺，蚀刻工艺，离子注入工艺，化学机械抛光，清洗工艺，晶圆检验工艺。 后道工序包括组装

发表于 12-16 23:35

SiC的离子注入工艺及其注意事项

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入

发表于 11-09 11:09 ?1200次阅读

源漏离子注入工艺的制造流程

与亚微米工艺类似，源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n

发表于 11-09 10:04 ?1294次阅读

多晶硅栅工艺的制造流程

与亚微米工艺类似，多晶硅栅工艺是指形成 MOS器件的多晶硅栅极，栅极的作用是控制器件的关闭或者导通。淀积的多晶硅是未掺杂的，它是通过后续的源漏离子注入进行掺杂，PMOS 的栅是p型掺杂，NMOS 的栅是n型掺杂。

发表于 11-07 08:58 ?1713次阅读

离子注入工艺的工作原理

单晶硅是一种绝缘体，因此它本身并不具备导电性。那么，我们该如何使它能够导电呢？让我们来看一下硅的微观结构。

发表于 11-04 16:19 ?2331次阅读