0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

NVIDIA核弹Orin性能超上代Xavier7倍,使用三星8nm LPP工艺

汽车玩家 ? 来源:快科技 ? 作者:宪瑞 ? 2019-12-20 09:39 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

在昨天的GTC China 2019大会上,NVIDIA宣布了一款新核弹产品——DRIVE AGX Orin,这是下一代自驾平台,采用全新的NVIDIA GPU及12核ARM CPU,200TFLOPS的性能是上代Xavier的7倍。

为NVIDIA新一代系统级芯片,Orin芯片由170亿个晶体管组成,集成了NVIDIA新一代GPU架构及12核的Arm Hercules CPU——CPU及GPU的具体信息官方都没公布,下一代GPU应该是Turing之后的Ampere安培了,CPU是ARM Cortex-A77之后的下一代,有可能是Cortex-A78,主要面向7nm及5nm工艺。

正因为Hercules CPU是面向7nm或者5nm工艺的,所以大家对DRIVE AGX Orin是很期待的,有可能首发5nm工艺,最次也得是7nm工艺吧,没想到NVIDIA这次真的是保守到家了——Computerbase网站爆料称DRIVE AGX Orin使用的是三星8nm LPP工艺,没有台积电代工的份儿了。

DRIVE AGX Orin是2022年才会问世的,也就是三年后才量产,而三星的8nm LPP工艺实际上是三星10nm工艺的马甲改进版。要知道到了2022年,5nm工艺都不算最先进了,台积电明年就要量产5nm工艺了。

不过话说回来了,NVIDIA在制程工艺上虽然抠了一点,但是对比Xavier还是有很大进步的,毕竟它也只是台积电12nm工艺生产的,DRIVE AGX Orin用上8nm工艺已经是很大进步了。

毫无疑问,使用三星成熟的8nm LPP工艺可以大幅降低成本,不过能效上显然是不能跟7nm、5nm相比的。根据NVIDIA的数据,L5级别的全自动驾驶可以使用2路DRIVE AGX Orin+2组GPU的方案,性能可达2000TFLOPS,也是2000万亿次,这性能比得上一些超算了。

当然,代价就是功耗,这样的系统功耗能达到750W,对比超算的话能效会很高了,Computerbase网站做了一个能效的计算,可以看看。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15890

    浏览量

    182501
  • gpu
    gpu
    +关注

    关注

    28

    文章

    4980

    浏览量

    132102
  • 英伟达
    +关注

    关注

    22

    文章

    3973

    浏览量

    94364
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三星S26拿到全球2nm芯片首发权 三星获特斯拉千亿芯片代工大单

    我们来看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首发权 数码博主“刹那数码”爆料称,三星Exynos 2600芯片已进入质量测试阶段,计划在今年10月完成基于HPB(High
    的头像 发表于 07-31 19:47 ?772次阅读

    三星代工大变革:2nm全力冲刺,1.4nm量产延迟至2029年

    在全球半导体代工领域的激烈竞争中,三星电子的战略动向一直备受瞩目。近期,有消息传出,三星代工业务在制程技术推进方面做出重大调整,原本计划于2027年量产的1.4nm制程工艺,将推迟至2
    的头像 发表于 07-03 15:56 ?315次阅读

    回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组

    深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
    发表于 05-19 10:05

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    较为激进的技术路线,以挽回局面。 4 月 18 日消息,据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道,三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率,这高于
    发表于 04-18 10:52

    千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺

    次公开了?SF1.4(1.4nm?级别)工艺,原预计?2027?年实现量产。按照三星当时的说法,SF1.4?将纳米片的数量从?3?个增加到?4?个,有望显著改善芯片在性能和功耗方面的表
    的头像 发表于 03-23 11:17 ?1469次阅读

    千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺?

    次公开了 SF1.4(1.4nm 级别)工艺,原预计 2027 年实现量产。按照三星当时的说法,SF1.4 将纳米片的数量从 3 个增加到 4 个,有望显著改善芯片在性能和功耗方面的表
    的头像 发表于 03-22 00:02 ?2028次阅读

    三星已量产第四代4nm芯片

    据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4
    的头像 发表于 03-12 16:07 ?1.2w次阅读

    三星电子否认1b DRAM重新设计报道

    DRAM内存产品面临的良率和性能双重挑战,已决定在2024年底对现有的1b nm工艺进行改进,并从头开始设计新版1b nm DRAM。然而,三星
    的头像 发表于 01-23 15:05 ?647次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    问题,在2024年底决定在改进现有1b nm工艺的同时,从头设计新版1b nm DRAM。 不过,三星通过相关媒体表示相关报道不准确。尽管三星
    的头像 发表于 01-23 10:04 ?1038次阅读

    三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

    近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b
    的头像 发表于 01-22 14:04 ?1005次阅读

    锐成芯微推出基于8nm工艺的PVT Sensor IP

    近日,锐成芯微基于8nm工艺工艺、电压、温度传感IP(PVT Sensor IP,下同)完成硅测试,验证结果展现出了其优异的性能,未来将为客户在先进
    的头像 发表于 11-08 16:17 ?697次阅读

    三星电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)今年上半年,三星在FD-SOI工艺上面再进一步。3月份,意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出18nm FD-SOI
    发表于 10-23 11:53 ?712次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>电子:18FDS将成为物联网和MCU领域的重要<b class='flag-5'>工艺</b>

    消息称三星电子再获2nm订单

    三星电子在半导体代工领域再下一城,成功获得美国知名半导体企业安霸的青睐,承接其2nm制程的ADAS(高级驾驶辅助系统)芯片代工项目。
    的头像 发表于 09-12 16:26 ?824次阅读

    三星电子计划在2026年推出最后一代10nm工艺1d nm

    三星电子在最新的内存产品路线图中透露了未来几年的技术布局。据透露,三星计划在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR内存,该制程将支持高达32Gb的颗粒容量,标志着内存性能与密度的
    的头像 发表于 09-09 17:45 ?955次阅读

    贴片电容首选三星性能稳定又可靠

    的电气性能。这主要得益于三星先进的生产工艺和严格的质量控制体系,确保了产品的高品质。 2、可靠性高:三星贴片电容的可靠性非常高,能够满足长时间、高负荷的工作需求。其优秀的耐高温、耐湿等
    的头像 发表于 08-20 15:10 ?837次阅读