--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
DTS2301-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管,采用 SOT23 封装。以下是详细参数说明和应用简介:
- **参数说明:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P-Channel
- 额定电压(VDS):-20V
- 额定电流(ID):-4A
- 开关电阻(RDS(ON)):57mΩ(在VGS=4.5V,VGS=12V时)
- 阈值电压(Vth):-0.81V

- **适用领域和模块举例:**
- **领域:** 电子设备、电源管理、模拟电路等。
- **模块应用举例:**
1. **电源开关模块:** 适用于设计负载开关电源的模块,可有效控制电流。
2. **信号放大器:** 在模拟电路中,可用于 P-Channel 放大器模块,用于信号放大和处理。
3. **电源逆变器:** 可用于电源逆变器模块,特别是需要负载控制的应用场景。
DTS2301-VB 的特性使其在对电流控制和功耗优化有要求的领域中表现出色,适用于多种电路设计,特别是需要 P-Channel 沟道场效应晶体管的应用。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:56
产品型号:BUK654R8-40C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:51
产品型号:BUK654R6-55C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:50
产品型号:BUK654R0-75C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:47
产品型号:BUK653R7-30C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:35
产品型号:BUK653R5-55C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N