### 产品简介
BUK661R8-30C-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装。这款 MOSFET 基于先进的沟槽技术，具备极低的导通电阻和超高的电流处理能力，非常适合在高功率、高效率的应用中使用。其优异的性能和高电流能力使其成为许多高功率电子电路中的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: BUK661R8-30C-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
- 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高效开关电源**：由于其超低的导通电阻和高电流能力，BUK661R8-30C-VB 是开关电源 (SMPS) 的理想选择。它能够显著提高电源的转换效率，并减少功耗，适用于各种高功率电源应用。
2. **电机驱动系统**：该 MOSFET 能够处理高达 150A 的电流，非常适合用于电机驱动模块，如工业自动化设备和电动工具，提供稳定和高效的电流控制。
3. **电池管理系统**：在电池管理系统中，BUK661R8-30C-VB 的低导通电阻可以优化电池充放电过程，提高系统效率和可靠性，尤其适合用于电动汽车和大容量储能系统。
4. **光伏逆变器**：这款 MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其成为光伏逆变器中的优选元件，能够提高光伏系统的整体效率和可靠性。
5. **高功率开关应用**：由于其优秀的开关性能，BUK661R8-30C-VB 适用于高功率开关应用，如大功率 DC-DC 转换器和高频开关设备，能够减少功耗并提升系统性能。
