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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: BUK661R6-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### BUK661R6-30C-VB 产品简介

**产品名称**: BUK661R6-30C-VB

**封装**: TO-263

**配置**: 单极N沟MOSFET

BUK661R6-30C-VB是一款高性能N沟MOSFET,设计用于需要高电流处理和低导通电阻的应用。该MOSFET采用TO-263封装,利用先进的Trench技术,提供卓越的导通电阻和电流处理能力,非常适合高效能和高可靠性的电子电路。

### 详细参数说明

- **V_DS(漏源电压)**: 30V  
 MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压。

- **V_GS(栅源电压)**: ±20V  
 MOSFET栅极与源极之间允许的最大电压。

- **V_th(栅极阈值电压)**: 1.7V  
 使MOSFET开始导通所需的最小栅源电压。

- **R_DS(ON)(漏源导通电阻)**:
 - 3.2mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在导通状态下漏极与源极之间的电阻。较低的R_DS(ON)值表明更高的开关效率和更低的功率损耗。

- **I_D(连续漏极电流)**: 150A  
 MOSFET能够承受的最大连续漏极电流。

- **技术**: Trench  
 采用Trench技术,提供低导通电阻和高效性能。

### 应用领域

BUK661R6-30C-VB MOSFET适合各种高电流和高效能的应用场景:

1. **电源管理**:
  - **高电流电源开关**: 在高电流开关应用中表现优异,如高效开关电源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以显著减少功率损耗,提高系统效率。
  - **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中提供高效的电力转换和调节,特别适用于需要处理大电流的应用。

2. **电机控制**:
  - **电动机驱动**: 适用于高功率电动机驱动系统,如工业电机驱动和电动汽车(EV)电机控制,能够处理高达150A的电流,提供高效、可靠的开关性能。
  - **伺服电机**: 在精密伺服电机控制系统中,如机器人和自动化设备,提供稳定的高电流控制。

3. **汽车应用**:
  - **电力分配系统**: 用于汽车电力分配系统,能够处理高电流负载,确保电力系统的可靠性和高效性。
  - **电池管理系统(BMS)**: 在混合动力和电动汽车中提升电池管理系统的性能,优化高电流处理能力。

4. **消费电子**:
  - **电源供应单元(PSU)**: 适用于高功率消费电子产品中的电源供应单元,如高性能计算机和音响系统,提供高效的电源管理。
  - **充电解决方案**: 在高电流充电应用中,如快速充电系统和高功率充电器,提供高效、可靠的充电过程。

BUK661R6-30C-VB以其极低的导通电阻和高电流处理能力,适合各种高功率和高效能的应用,确保系统的高效性和可靠性。

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